黄远明
- 作品数：20 被引量：49H指数：4
- 供职机构：云南师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程机械工程更多>>
- SiO_2薄膜中咔唑的发光特性被引量：2
- 2007年
- 利用溶胶-凝胶工艺制备了含咔唑的SiO2薄膜,实验测量了薄膜样品的光致发光特性.结果发现:样品不仅能发射红光,并且当激发波长从610nm连续减小到400nm时,其发射谱峰位又能从760nm连续蓝移到550nm左右.薄膜样品的荧光特性随激发波长而改变的现象可归因于咔唑分子被紧缩在凝胶内部的微孔中受到挤压而导致共轭尺寸发生变化.
- 黄远明翟保改周甫方
- 关键词：SIO2薄膜咔唑光致发光溶胶-凝胶
- 正电子辐照多孔硅的研究被引量：1
- 1998年
- 多孔硅经来自２３Ｎａ的正电子束辐照后，其光荧光谱出现两个新特点：一是主峰峰位显著蓝移。由辐照前的红色光谱区蓝移到辐照后的绿色光谱区；二是出现一个较高能量的附加发光峰。红外吸收谱表明，正电子辐照有助于增强多孔硅的表面氧化。
- 黄远明薛青薛青翟保改刘社文胥爱军
- 关键词：多孔硅光荧光谱空穴
- 单取代聚乙炔的荧光光谱在低温下的裂变(英文)
- 2007年
- 在18至300K的温度范围内,对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究。在室温时,这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光,其荧光光谱的主要荧光峰位于510nm,而它的两个次要荧光峰分别位于440nm和380nm。位于510、440nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的激发缔合物的主要和次要发光峰,而位于380 nm的荧光峰是单条高分子链的发光峰。当温度从300K降到18K的过程中,原荧光光谱发生中的激发缔合物的主要发光峰从510 nm逐渐红移到570 nm,而其激发缔合物的次要发光峰逐渐消失;与此同时,该高分子材料的380nm的荧光峰逐渐与主荧光峰分开。这些光谱方面的变化可用该高分子在低温下所发生的结构上的变化来解释。
- 周甫方黄远明
- 关键词：光电子学有机发光材料光荧光
- 浮雕型全息光栅诱导液晶分子取向排列的研究被引量：1
- 2006年
- 在玻璃衬底上制备浮雕型全息光栅作为液晶显示器件取向层,分析了液晶层厚度对液晶分子在光栅取向层上排列的影响。发现液晶层厚度约为8μm时,液晶分子是沿光栅沟槽方向一致排列,其显微织构均匀,各点光强均匀一致,两个相同光强的状态周期为90,°周期性的微沟槽是促使液晶分子取向一致的主要原因。
- 黄翀周学平欧阳艳东吴建宏黄远明
- 关键词：取向层
- 多孔硅的分形结构及其荧光特性被引量：1
- 2008年
- 用扫描电子显微镜(SEM)对多孔硅的结构进行了分析.结果显示多孔硅具有分形特性,同计算机模拟结果一致;用荧光光谱仪,研究了多孔硅的荧光特性与激发波长的依赖关系.激发光谱测量结果发现,当激发波长从650nm变到340nm时,荧光谱峰位从红端780nm连续蓝移到500nm.综合分析说明:正是由于多孔硅的分形微结构以及量子限制效应,导致了多孔硅的荧光特性随激发波长改变的物理现象.
- 陈兰莉翟保改黄远明
- 关键词：多孔硅荧光量子限制效应
- 绿色长余辉铝酸盐在信息显示领域的应用探索被引量：4
- 2010年
- 以尿素、硼酸以及硝酸盐溶液为基质,掺杂少量的稀土氧化物,在600℃的中温电阻炉中燃烧合成了铝酸盐绿色长余辉发光材料。通过将长余辉材料粉末混合在聚苯乙烯熔融体中,成功制备了可卷曲的绿色长余辉复合薄膜样品,采用扫描电镜和荧光光谱仪对薄膜样品进行了测试分析。研究结果表明,该薄膜可以作为可卷曲的发绿光的信息显示屏使用。
- 马青兰黄远明
- 关键词：长余辉铝酸盐信息显示
- 氢化非晶硅薄膜退火形成的纳米硅及其光致发光(英文)被引量：6
- 2001年
- 本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所形成的 nc-Si在薄膜中的分布是随机的 ,直径在 1 .6～ 1 5nm范围内 ,并且在强激光辐照下观察了 nc-Si在薄膜中的结晶和生长情况 .经退火所形成的 nc-Si可见光辐射较弱 ,不能检测到它们的光致发光 ( PL) ,但用氢氟酸腐蚀钝化后则可检测到较强的红 PL,并且钝化后的 nc-Si在空气中暴露一定的时间后 ,其辐射光波长产生了蓝移 .文中就表面钝化和量子限制对可见光辐射的重要性作了讨论 .
- 周国运黄远明
- 关键词：光致发光RAMAN散射快速退火氢化非晶硅薄膜
- 带支链聚乙炔液晶高分子的合成与光学特性(英文)被引量：1
- 2008年
- 在室温下,对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究.这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光。其荧光光谱的主要荧光峰位于510 nm,而它的两个次要荧光峰分别位于440 nm和380 nm.位于510 nm、440 nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的激发缔合物的主要和次要发光峰,而位于380 nm的荧光峰是单条高分子链的发光峰.这些光谱方面的变化可用该高分子发生的结构上的变化来解释.
- 薛清黄远明
- 关键词：光电子学有机发光材料光荧光
- 多孔硅薄膜微结构的分形特性被引量：1
- 2007年
- 用扫描电镜(SEM)对厚度不同的多孔硅膜的微结构进行了研究。对于23μm厚的多孔硅膜,其横截面微结构好似海底生长的海藻;而对于6μm厚的多孔硅膜,其表面微结构则像龟壳上的裂纹。通过对在不同放大倍数情况下拍摄的多孔硅的SEM图片进行分析,结果表明多孔硅薄膜的这两种微结构都具有分形特征,而且其分形维数为2.3～2.6。利用扩散限制凝聚模型(diffusion limited aggregation)对这两种微结构的形成过程进行了模拟。
- 周甫方黄远明
- 关键词：多孔硅微结构分形分形维数
- 激发波长对多孔硅荧光特性的影响被引量：2
- 2007年
- 用荧光光谱仪测量了多孔硅样品的任一给定点的荧光特性与激发波长的依赖关系,发现当激发波长从650nm变到340nm时,该点的荧光谱峰位从780nm连续蓝移到490nm。用扫描电子显微镜(SEM)对多孔硅的截面进行了分析,结果显示多孔硅具有分形特性,这同作者的计算机模拟结果一致。结合多孔硅样品的激发光谱测量结果,多孔硅的荧光特性随激发波长改变的现象可以归因于多孔硅的分形结构以及量子尺寸效应。
- 黄远明周甫方
- 关键词：多孔硅量子尺寸效应
