舒钰
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目国家部委预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 含有本征SiGe层的SiGe异质结双极晶体管集电结耗尽层宽度模型被引量：1
- 2011年
- 本文分别建立了含有本征SiGe层的SiGeHBT(异质结双极晶体管)集电结耗尽层各区域的电势、电场分布模型,并在此基础上,建立了集电结耗尽层宽度和延迟时间模型,对该模型进行了模拟仿真,定量地分析了SiGeHBT物理、电学参数对集电结耗尽层宽度和延迟时间的影响,随着基区掺杂浓度和集电结反偏电压的提高,集电结耗尽层延迟时间也随之增大,而随着集电区掺杂浓度的提高和基区Ge组分增加,集电结耗尽层延迟时间随之减小.
- 胡辉勇舒钰张鹤鸣宋建军宣荣喜秦珊珊屈江涛
- 关键词：SIGEHBT延迟时间
- 应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型被引量：1
- 2011年
- 本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建立的模型的正确性.根据所建立的模型,分析了亚阈电流跟应变Si应变度的大小,应变Si膜的厚度和掺杂浓度的关系,为应变Si全耗SOIMOSFET物理参数设计提供了重要参考.
- 秦珊珊张鹤鸣胡辉勇屈江涛王冠宇肖庆舒钰
- 关键词：应变硅FD-SOI表面势
