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一种低介电损耗的无铅玻璃陶瓷及其制备方法: 一种低介电损耗的无铅玻璃陶瓷及其制备方法，该玻璃陶瓷的成分组成为：aBaO‑bSrO‑cNb2O5‑dZnO‑xSiO2‑yB2O<...; 罗君杜军张庆猛唐群; 文献传递

一种固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法: 本发明涉及一种固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法，其组成和配比为70wt％-90wt％的Ba0.4Sr0.6TiO3和10wt％-30wt％的纳米Mg...; 杜军张庆猛王磊罗君唐群章林文谢卫平李洪涛王勐; 文献传递

SrNb_2O_6-NaNbO_3-SiO_2玻璃陶瓷纳米介电复合材料的介电性能研究被引量：2: 2010年; 应用辊压快冷及可控结晶技术制备了玻璃陶瓷(SrNb2O6-NaNbO3-SiO2)纳米介电复合材料。研究了该复合材料的制备工艺参数与显微组织特性以及介电性能的关系,重点关注该材料的抗电击穿性能。X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的分析结果显示,高温熔体经辊压快冷后得到典型的玻璃块体,在随后的可控结晶过程中,当温度高于750℃时,在玻璃基体中逐步析出具有高介电常数的纳米SrNb2O6和NaNbO3颗粒。当晶化温度为900℃时,析出相的平均尺寸约为28 nm。分析测试了该类材料介电常数的温谱特性和频谱特性。结果表明,该介电复合材料具有适宜的温谱和频谱特性。在100 Hz^1 MHz测试频率和-55~125℃测试范围内,该类材料均表现出极佳的稳定性(<5%)。与此同时,基于其特有的低孔隙率和纳米晶粒度的特点,该类复合材料的抗电击穿能力亦很突出。在700℃结晶化处理的样品的电击穿强度高达120 kV.mm-1。; 王磊杜军张庆猛罗君唐群; 关键词：击穿强度介电性能玻璃陶瓷

一种钛酸锶钡陶瓷电容器材料及其制备方法: 本发明涉及一种钛酸锶钡陶瓷电容器材料及其制备方法，其特征在于：其组成和配比为：80vol％～98vol％的BaxSr1－xTiO3，2vol％～20vol...; 杜军张庆猛王磊唐群罗君; 文献传递

一种玻璃陶瓷叠层电容器的内电极及其制备方法: 本发明公开了属于功能材料技术领域的一种玻璃陶瓷叠层电容器的内电极及其制备方法，该内电极结构包括叠层的玻璃陶瓷电介质层和银浆电极层，且在每个相邻的玻璃陶瓷电介质层和银浆电极层之间设有内电极过渡层。其制备流程为：首先在玻璃陶...; 杜军朱君罗君张庆猛唐群; 文献传递

一种微型高压电容器及其制备方法: 本发明涉及一种微型高压电容器及其制备方法，电介质层由玻璃陶瓷材料构成，电极由内到外依次为金膜内电极、银浆过渡电极、In-Sn50合金薄片和紫铜片外电极端头，灌封材料为环氧树脂。本发明提供了一种直径Φ10～25mm，厚度1...; 杜军罗君王磊唐群朱君张庆猛章林文谢卫平李洪涛王勐; 文献传递

一种脉冲激光烧蚀制备硅纳米线的方法: 一种硅纳米材料制备技术领域的脉冲激光烧蚀(PLA)合成一维硅纳米线的方法。首先采用不同Si、SiO和SiO2配比的粉末制备复合靶材，将其置于Al2O3陶瓷...; 王磊陈兴杜军屠海令黄立娟罗君; 文献传递

一种提高玻璃陶瓷电容器交流电压击穿强度的半导体玻璃釉及其制备方法: 一种提高玻璃陶瓷电容器交流电压击穿强度的半导体玻璃釉及其制备方法，该半导体玻璃釉包括具有非线性电阻特性陶瓷粉、低熔点玻璃粉及乙基纤维素，具有非线性电阻特性陶瓷粉由以下重量百分含量的原料经烧结、研磨、过筛制得：94％～96...; 张庆猛唐群罗君韩东方周毅周昊杜军; 文献传递

一种提高玻璃陶瓷介电材料储能密度的内电极结构: 本实用新型公开了一种电容器内电极的制备结构，尤其涉及一种提高玻璃陶瓷介电材料储能密度的内电极结构。该内电极为采用三层内电极组合结构，在基底上涂覆一层金膜，再刷一层银浆。即使银浆料烧结形成微孔隙，本实用新型克服现有技术中的...; 杜军罗君唐群董桂霞毛昌辉李宏涛章林文; 文献传递

一种高储能密度高温度稳定性介电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法: 一种高储能密度高温度稳定性介电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，该介电玻璃陶瓷复合材料所含的化学组分为a PbO-b BaO-c Na2O-d Nb2O5-e...; 杜军周毅张庆猛罗君唐群韩东方周昊; 文献传递

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罗君