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杜军
作品数:
279
被引量:399
H指数:11
供职机构:
北京有色金属研究总院
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
国家自然科学基金
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合作作者
毛昌辉
北京有色金属研究总院
杨志民
北京有色金属研究总院
苑鹏
北京有色金属研究总院
尉秀英
北京有色金属研究总院
王磊
北京有色金属研究总院
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2篇
2001
2篇
2000
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279
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导电颗粒钨对AlN陶瓷热导率的影响
本文研究了导电相W含量、烧结工艺对AlN-W复合陶瓷致密性及热导率的影响。结果表明,1 700℃、50 MPa下放电等离子烧结(SPS)随着W含量的增加,复合陶瓷的致密性及热导率逐渐增加。当W体积含量为10%时,复合陶瓷...
马会娜
杨志民
张艳
杜军
关键词:
金属陶瓷
文献传递
一种增强光电效应的石墨烯基半导体光电器件及其制备方法
本发明公开了属于光电器件技术领域的一种增强光电效应的石墨烯基半导体光电器件及其制备方法。本发明的石墨烯光电器件,包括背电极、半导体衬底、石墨烯、顶电极以及位于所述石墨烯和顶电极之间的阻挡功能层材料,阻挡功能层材料由一层金...
魏峰
曾亭
杜军
熊玉华
文献传递
一种微型高压电容器及其制备方法
本发明涉及一种微型高压电容器及其制备方法,电介质层由玻璃陶瓷材料构成,电极由内到外依次为金膜内电极、银浆过渡电极、In-Sn50合金薄片和紫铜片外电极端头,灌封材料为环氧树脂。本发明提供了一种直径Φ10~25mm,厚度1...
杜军
罗君
王磊
唐群
朱君
张庆猛
章林文
谢卫平
李洪涛
王勐
文献传递
应用于DRAMs的钛酸锶钡薄膜的研究进展
被引量:3
2005年
随着 DRAMs 存储密度的增加,传统材料已不再适用于将来的 DRAMs 技术的发展。在目前研究的新型替代材料中,钛酸锶钡以其优越的介电性能越来越引起人们的关注。介绍了随 DRAMs 的发展趋势,钛酸锶钡薄膜的研究进展,包括其制备方法、研究状况及影响其介电性能的因素,并提出了下一步研究工作中需要解决的几个问题。
邢光建
杨志民
毛昌辉
杜军
关键词:
钛酸锶钡薄膜
介电性能
存储密度
一种重频环形固态脉冲形成线
本实用新型公开了一种重频环形固态脉冲形成线,它由环形的玻璃陶瓷介质片、银电极以及金属端电极构成,银电极烧制在玻璃陶瓷介质片的上、下表面,金属端电极焊接在银电极的表面。该环形固态脉冲形成线具有体积小、工作频率高、放电电流大...
张庆猛
唐群
杨志民
杨剑
毛昌辉
杜军
文献传递
一种玻璃陶瓷高压固态脉冲形成线
本实用新型公开了属于脉冲功率技术领域的一种玻璃陶瓷高压固态脉冲形成线。所述的高压固态脉冲形成线包括玻璃陶瓷介质片,银电极,铜电极和锡包铜引线;所述的玻璃陶瓷介质片通过锡包铜引线并联连接;所述的银电极烧结在各个玻璃陶瓷介质...
唐群
张庆猛
杜军
文献传递
一种微波衰减器材料及其制备方法
本发明涉及一种微波衰减器材料及其制备方法,特别涉及一种AlN-Mo微波衰减器材料及其制备方法,属于微波电子真空技术领域,其包括金属相Mo:20~25vol.%;烧结助剂CaF<Sub>2</Sub>:2~5vol.%;其...
董桂霞
马书旺
于红
毛昌辉
杨志民
杜军
文献传递
一种用于吸收高频腔高次模的铁氧体吸收器及其制备方法
一种用于吸收高频腔高次模的铁氧体吸收器及其制备方法。采用的材料体系为Ni-Zn-Co尖晶石(S)型铁氧体,其分子化学式为:Ni<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x-y</Sub>Co<Sub>y</Sub>Fe<...
毛昌辉
马书旺
杨志民
杨剑
梁秋实
苑鹏
杜军
文献传递
一种阻变存储器及其制备方法
本发明提供一种阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极和底电极,顶电极与底电极之间设有由CeO<Sub>x</Sub>/CeO<Sub>2</Sub>双层薄膜构成的阻变功能层。其制备方法包括:(1)衬底清洗;(2)...
赵鸿滨
屠海令
魏峰
张艳
杜军
文献传递
一种高储能密度玻璃陶瓷薄膜的制备方法
本发明公开了一种高储能密度玻璃陶瓷薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)选择原料,配料,研磨,混合,所述原料为PbO,SrCO<Sub>3</Sub>,Na<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>,Nb<Sub...
谭飞虎
杜军
张庆猛
周昊
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