祝向荣
- 作品数：24 被引量：56H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术发展基金上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 磁电阻随机存储器（MRAM）
- 郭懋端沈鸿烈李铁祝向荣
- 文献传递
- 大磁致伸缩执行器被引量：21
- 1998年
- 本文阐述了大磁致伸缩材料的特性和大磁致伸缩材料在执行器中应用情况。大磁致伸缩执行器作为新一代小型强力执行器，被应用于低频声纳、新型马达、流体传动系统以及抗振系统等。大磁致伸缩执行器将有远大的发展前景。
- 祝向荣郭懋端
- 关键词：稀土磁致伸缩执行器
- 具有覆盖层的Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应研究被引量：1
- 2001年
- 研究了覆盖层为铁磁性的 Fe和非铁磁性的 Ti、 Cu的 Co/Cu/Co三明治在室温和低温下 的巨磁电阻效应。实验结果表明，室温下有覆盖层时 , Co/ Cu/Co三明治的巨磁电阻效应值 没有明显变化，但以 Fe为覆盖层的样品的矫顽力和饱和场明显减小，而 Ti、 Cu覆盖层对三 明治样品的矫顽力和饱和场无太大的影响。温度降低时，覆盖层使 Co/Cu/Co三明治的巨 磁电阻值显著增加，表明样品的巨磁电阻效应与覆盖层及其与上层 Co所形成的界面密切相关。
- 潘强沈鸿烈祝向荣李铁沈勤我邹世昌
- 关键词：巨磁电阻效应覆盖层金属多层膜
- 金属有机物分解法制备的La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_z薄膜的磁输运特性
- 2001年
- 利用金属有机物分解法在石英衬底上制备了多晶Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯｘ薄膜。研究了薄膜输运特性及其与温度的关系，发现薄膜的金属一半导体转变温度Ｔｐ（约１７２Ｋ）远低于其居里温度（约２４７Ｋ）；在平行于膜面的ＩＴ磁场下，７７Ｋ～３０２Ｋ温度范围内，没有磁电阻（ＭＲ）峰，而是在Ｔｐ温度以下，有一定的平台，平台处ＭＲ值约为２１％～２４％，在Ｔｐ温度以上，ＭＲ随温度上升而迅速降低；在７７Ｋ温度下，薄膜具有显著的低场磁电阻效应。上述磁输运特性与载流子在晶界附近的输运行为如强的自旋相关散射和晶粒间自旋极化隧道效应等有关。在７７Ｋ温度下，还观察到了退磁效应引起的磁电阻垂直各向导性。
- 祝向荣沈鸿烈邹世昌TSUKAMOTO KoichiYANAGISAWA TakeshiOKUTOMI MamoruOBARA Akira
- 关键词：磁电阻晶界各向异性
- Co/Cu<,92>Mn<,8>/Co结构中的低场巨磁电阻研究
- 王辉曹嵘金庆原金晓峰李富铭祝向荣
- 关键词：巨磁电阻
- 文献传递网络资源链接
- 金属有机物分解法制备的La-Sr-Mn-O薄膜的磁输运特性(英文)
- 2001年
- 利用金属有机物分解法在非晶石英衬底上成功地制备了具有 (202)择优取向的多晶 La1－ x－SrxMnOz薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下，观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征， 10 kOe磁场下，磁电阻值达到 5％。在 77 K低温下，薄膜具有显著的低场磁电阻效应， 2 kOe磁场下的磁电阻值达到 11％。薄膜的电阻－温度关系具有平缓的金属－绝缘体转变，转变温度远低于其居里温度；在 8 kOe磁场下，薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷 (包括晶界及疏松 )有关。
- 祝向荣沈鸿烈邹世昌Koichi TsukamotoTakeshi YanagisawaMamoru OkutomiAkira Obara
- 关键词：磁电阻
- Co/Cu<,92>Mn<,8>/Co结构中的低场巨磁电阻研究
- 王辉曹嵘金庆原金晓峰李富铭祝向荣
- 关键词：巨磁电阻
- Fe为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻效应的研究被引量：3
- 2001年
- 用超高真空电子束蒸发方法成功制备了以不同厚度Ｆｅ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治巨磁电阻样品，与以Ｃｒ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治巨磁电阻样品比较，样品的矫顽力大大减小，因而样品的磁灵敏度有了较大地提高。当Ｆｅ过渡层的厚度为７ｎｍ时样品的磁电阻值最大。另外，温度更强烈地影响以Ｆｅ为过渡层样品的磁电阻值，在７７Ｋ下样品的磁电阻曲线表现出明显的不时称性，它来源于低温下ｆｃｃ Ｆｅ过渡层的反铁磁性转变。
- 潘强沈鸿烈李铁祝向荣沈勤我邹世昌
- 关键词：过渡层多层膜
- Fe_xMn_(1-x)合金电子结构及其磁性的理论研究被引量：2
- 2000年
- 采用第一性原理的线性缀加平面波(LAPW)的理论计算方法,对Pe_xMn_(1-x)(x=1,0.75,0.5,0.25,0)合金体系的电子结构与磁性进行了理论研究,并与实验进行了比较。结果表明,bcc结构的Fe_(0.75)Mn_(0.25)合金为铁磁性,而fcc结构的Fe_(0.5)Mn_(0.5)和Fe_(0.25)Mn_(0.75)合金为反铁磁性,而且在铁磁性区域,理论计算磁矩的大小与实验值符合得很好。
- 敬超吴义政杨宗献董国胜金晓峰祝向荣沈鸿烈
- 关键词：电子结构磁性磁矩
- 全文增补中
- 氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算
- 2002年
- 发展了一种显示与估算氮化镓 (Ga N)位错密度的光辅助湿法刻蚀与原子力显微镜相结合的方法。所用 Ga N采用射频等离子体辅助的分子束外延技术 (RF-plasma MBE)生长 ,腐蚀液为 KOH水溶液。结果发现 ,使用 5 .0 M的 KOH溶液刻蚀 5分钟的 Ga N,其 AFM图谱上出现了非常明显的“小坑”,且“小坑密度”的量级与Ga N样品的位错密度量级相当。采用 X-ray衍射的二维三轴图谱 (TDTAM)研究 Ga N的马塞克柱状生长与缺陷 ,并延用文献报道的方法估算其位错密度 ,所得位错密度的结果与“小坑密度”一致。验证了“小坑”即为被刻蚀了的 Ga N位错。这样 ,对 RF-plasma MBE生长的 Ga N样品的位错密度估算 。
- 赵智彪李伟祝向荣齐鸣李爱珍
- 关键词：氮化镓湿法刻蚀位错密度分子束外延原子力显微镜X射线衍射分析
