祁宏山
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 供职机构：江苏大学机械工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目江苏省科技支撑计划项目更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 工艺条件对硼掺杂纳米硅薄膜微结构及力学性能的影响被引量：6
- 2009年
- 采用射频和直流偏压(RF+DC)双重激励源,在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中成功制备了掺硼纳米硅薄膜。改变衬底温度、射频功率和退火温度几个关键工艺参数,利用拉曼(Raman)谱仪、薄膜测厚仪和原子力显微镜(AFM)对掺硼纳米硅薄膜的微结构进行了分析;应用纳米压痕法研究了工艺条件对薄膜弹性模量及硬度等力学性能的影响关系。结果表明:薄膜晶态比、平均晶粒大小随着衬底温度的升高均有增大趋势;射频功率对提高薄膜生长速率存在最优值条件;退火对本征和掺硼薄膜表面形貌特征有较大影响,退火后掺硼薄膜表面粗糙度增大明显。薄膜弹性模量及硬度很大程度上受射频功率和后序处理条件的影响,退火使薄膜的力学性能有所提高。针对实验现象,从薄膜结构方面进行了相关的理论阐释。
- 丁建宁祁宏山袁宁一何宇亮程广贵范真潘海彬王君雄王秀琴
- 关键词：纳米硅薄膜掺硼AFM
- 不同晶态比条件下氢化纳米硅薄膜的力学性能(英文)
- 2009年
- 采用射频(radio frequency,RF,13.56.MHz)和直流偏压双重激励源,在等离子增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)系统下制备了康宁玻璃7059衬底上的氢化纳米硅薄膜.保持射频功率、反应室气压、直流偏压值和衬底温度等工艺参数不变的情况下,主要改变硅烷稀释度(silane concentration,SC)从1.%到0.5.%.当SC减小时,薄膜的晶态比Xc反而出现了增大现象,表明较低的SC有利于薄膜结构中晶态成分的形成.当SC减小到0.5.%时,Xc则出现最大值54.2.%.文中具有不同薄膜晶态比的样品力学性能采用美国Hysitron公司的TriboIndenter纳米压痕系统进行测量,薄膜的杨氏模量和硬度值利用Oliver和Pharr的解析方法得出.结果表明:当薄膜的Xc从50.5%增大到54.2%时,薄膜的杨氏模量和硬度值都大大增加,这种现象的产生是由于不同Xc的薄膜具有不同的晶态微结构,因此薄膜的Xc值在很大程度上决定薄膜的力学性能.
- 丁建宁祁宏山袁宁一何宇亮程广贵郭立强
- 关键词：杨氏模量拉曼光谱
- 硅薄膜晶体管液晶显示器的发展被引量：3
- 2009年
- 在当前迅速发展的液晶显示技术中,薄膜晶体管液晶显示器以其大容量、高清晰度和高品质全真彩色[1]受到人们的广泛青睐.薄膜晶体管液晶显示器的显示质量和整体性能在很大程度上取决于薄膜晶体管性能,薄膜晶体管(TFT)是众多场效应晶体管(FET)中的一种[2].非晶硅用于制作薄膜晶体管液晶显示器技术的成熟,使非晶体薄膜晶体管液晶显示器在薄膜晶体管液晶显示器的市场中占据了主导地位,而非晶硅薄膜晶体管由于其低迁移率、电导率[3]等性能,严重制约了薄膜晶体管液晶显示器的发展,寻找合适的替代品,追求高迁移率和高电导率一直是研究人员关注的焦点,在此基础上,多晶硅、微晶硅相继发展,虽然在一定程度上暂时解决了迁移率、电导率低的问题,但因多晶硅、微晶硅的价格昂贵、材料短缺,因而未能动摇非晶硅的主导地位.随后的纳米硅薄膜晶体管液晶显示器依靠其本身具有高电导率、高迁移率[4—6]的优越性以及当前纳米技术的进展而成为一个引人注目的新亮点.
- 郭立强丁建宁何宇亮袁宁一祁宏山
- 关键词：液晶显示器非晶硅纳米硅
