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王小龙

作品数:8 被引量:14H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 4篇SOI
  • 3篇多模
  • 3篇多模干涉
  • 3篇耦合器
  • 3篇光波
  • 3篇光开关
  • 3篇波导
  • 2篇多模干涉耦合...
  • 2篇英文
  • 2篇折射率
  • 2篇刻蚀
  • 2篇SOI光波导
  • 1篇单模
  • 1篇单模波导
  • 1篇导模
  • 1篇电光
  • 1篇电光效应
  • 1篇调制
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元法

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇王小龙
  • 7篇余金中
  • 3篇陈少武
  • 2篇刘敬伟
  • 1篇李艳萍
  • 1篇陈媛媛
  • 1篇严清峰

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理
  • 1篇光子学报
  • 1篇光子技术
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2004
  • 5篇2003
  • 2篇2002
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
强限制多模干涉耦合器的设计
本文设计了一阵新型的多模干涉(MMI)耦合器,通过减小多模波导区衬底折射率,加强了对光场的限制,以激发更多的导模来提高映像质量.我们采用二维有限差分波束传播方法(2-D FDBPM)模拟了这种新型的结构,结果表明映像质量...
王小龙余金中
关键词:多模干涉耦合器
文献传递
SOI光波导与热光开关的研究
该文围绕着SOI光波导耦合器和热光开关展开研究,对相关理论做了适当的整理与发展,并且用湿法刻蚀的方法制作了多种光波导耦合器、调制器与光开关.
王小龙
关键词:光波导耦合器热光开关湿法刻蚀BPM干法刻蚀
湿法腐蚀制备的SOI光波导(英文)
2003年
用化学湿法腐蚀的方法制作了SOI光波导 ,并且用三维波束传播方法分析和设计了单模波导和 1× 2 3dB多模干涉分束器 ,修正了有效折射率和导模传输方法的误差 .制作的器件具有低传输损耗 (- 1 37dB/cm)、低附加损耗 (- 2 2dB)、良好的均衡性 (0 3dB)等优良性能 .
王小龙严清峰刘敬伟陈少武余金中
关键词:SOI湿法腐蚀多模干涉单模波导
光波导开关的最新进展被引量:11
2003年
随着光纤通信技术的不断发展,作为光分插复用(OADM)和光交叉互联(OXC)核心器件的光开关作用日益突出.文章从开关单元结构、材料及调制机理三个角度对波导开关进行了划分,阐述了波导开关的基本原理以及当前的研究进展,对面临的一些技术挑战进行了分析,并提出了自己的观点.
王小龙余金中
关键词:光波导开关光开关热光效应电光效应SOI光纤通信
SOI梯形截面光波导的模式分析
2002年
采用有效折射率和转移矩阵理论相结合的方法得到了SOI梯形光波导的本征模方程。计算得到的有效折射率与WKB法相比误差不超过10-5,其垂直方向电场分布与BPM模拟结果基本相符。首次得到了SOI梯形波导的单模曲线和其近似解析表达式,此结果与修正的WKB法一致。
王小龙余金中陈少武
关键词:SOI有效折射率转移矩阵刻蚀工艺
SOI光开关速度和损耗的研究
2003年
速度和损耗是光开关的两项重要特性指标.文章在介绍SOI热光型和电光型开关工作原理的基础上,分析了波导层和埋层二氧化硅厚度、电极材料、载流子寿命以及掺杂、界面质量、模式失配度和对准性等等因素对于速度和损耗的影响,并相应的提出了一些改善方案.
陈媛媛余金中王小龙李艳萍
关键词:SOI光开关损耗
SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析
2004年
利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布 .结果表明 ,上包层 Si O2 厚度的减小 ,有利于开关速度的提高和功耗的减小 .增加埋层 Si O2 的厚度或引入绝缘槽 ,能有效降低器件功耗 ,但开关时间随之增加 .电极的尺寸对开关性能影响较小 .如果采用全体硅材料制作光开关 ,开关速度能达到 5 μs,但功耗将增至 0 .92 W.
刘敬伟王小龙陈少武余金中
关键词:有限元法开关速度功耗
不同衬底折射率的多模干涉耦合器(英文)被引量:3
2003年
设计了一种具有不同衬底折射率的新型多模干涉耦合器 ,在多模波导区引入了更强的光场限制 ,激发更高阶的导模 ,从而提高映像质量 采用二维有限差分波束传播方法模拟了这种新型的结构 ,结果表明 :与传统结构相比 ,以功率均衡性和附加损耗为衡量标准的映像质量有了明显提高
王小龙余金中
关键词:多模干涉耦合器折射率导模
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