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汪渊

作品数:6 被引量:14H指数:2
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇铁氧体
  • 5篇环行器
  • 4篇偏置
  • 4篇自偏置
  • 3篇铁氧体环行器
  • 2篇电路
  • 2篇微波电路
  • 2篇微波集成
  • 2篇微波集成电路
  • 2篇膜片
  • 2篇基片
  • 2篇集成电路
  • 2篇钡铁氧体
  • 1篇丝网印刷
  • 1篇铁氧体薄膜
  • 1篇微波
  • 1篇微带
  • 1篇六角铁氧体
  • 1篇共面
  • 1篇共面波导

机构

  • 6篇电子科技大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 6篇汪渊
  • 5篇张万里
  • 4篇蒋洪川
  • 3篇张文旭
  • 3篇彭斌
  • 2篇彭斌
  • 1篇李辉
  • 1篇谭科

传媒

  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇微波学报

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 3篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
六角铁氧体自偏置微波环行器研究
随着移动通讯的迅速发展,微波器件的小型化、平面化、集成化成为研究的热点和重要的发展方向。微波铁氧体环行器作为最重要的微波铁氧体元件之一,具有其它元器件不可替代的作用。然而,传统的环行器需要外加磁体导致体积大,重量重,并且...
汪渊
关键词:六角铁氧体环行器
文献传递
钡铁氧体薄膜自偏置毫米波环行器设计与制备(英文)被引量:2
2013年
基于厚度为10μm的钡铁氧体薄膜设计,制备了共面波导结构的毫米波薄膜环行器.这种薄膜环行器不需要外加磁体,在34 GHz和37.6 GHz显示出环行特性,其非互易效应大于15 dB.结果表明,采用共面波导结构可以实现薄膜环行器.这种薄膜环行器具有和单片微波集成电路集成的潜在应用.
彭斌汪渊徐慧忠张文旭张万里
关键词:环行器铁氧体薄膜自偏置共面波导
钡铁氧体厚膜在自偏置微带结环行器中的应用被引量:4
2010年
采用丝网印刷工艺制备钡铁氧体厚膜,研究了玻璃粉含量对钡铁氧体厚膜结构和磁性能的影响。基于所制备的钡铁氧体厚膜设计并制备了自偏置微带结环行器。结果表明,所制备的钡铁氧体厚膜具有明显的c轴择优取向,随着玻璃含量的适当增加,钡铁氧体厚膜的剩磁比和矫顽力增大,磁性能提高。钡铁氧体厚膜在c轴方向上的最大剩磁比为0.72,矫顽力最高为286.6kA/m。钡铁氧体厚膜应用于微带结环行器,在中心频率38.6GHz处插入损耗为18dB,隔离度为40dB。
谭科蒋洪川彭斌张万里汪渊
关键词:钡铁氧体厚膜丝网印刷自偏置
Ku波段自偏置微带双Y结环行器的设计和制作被引量:9
2011年
目前商用环行器均需要外加偏置磁场,体积大,难集成。利用厚度为0.2mm的锶永磁铁氧体材料,基于带线结环行器理论,设计、优化并制作了一种自偏置微带双Y结环行器,器件无需外加偏置磁场,可显著降低环行器的体积和重量,便于集成化。测试结果和仿真结果基本吻合。测试结果表明,制作的器件在17.5GHz和29.3GHz频率点处均呈现明显的环行性能。在17.5GHz处,电压驻波比为1.3,插入损耗为4.2dB,隔离损耗为20.4dB。在29.3GHz附近,隔离损耗为18.1dB。在30.3GHz附近,插入损耗为3.1dB,电压驻波比约为1.2,最后探讨了所制作的环行器的插入损耗偏大的原因。
吴曈汪渊蒋洪川张万里彭斌李辉
关键词:自偏置铁氧体环行器
一种膜片集成式微带铁氧体环行器
该发明属于固体电子器件中的集成式微带铁氧体环行器,包括底部设有凹槽的介电质或半导体基片及设于凹槽内的高电导率金属块或接地膜,附着于基片上部的铁氧体膜片,紧贴于铁氧体膜片上的高电导率中心结及其匹配段,位于基片底面的高电导率...
彭斌张万里汪渊张文旭蒋洪川
文献传递
一种膜片集成式微带铁氧体环行器
该发明属于固体电子器件中的集成式微带铁氧体环行器,包括底部设有凹槽的介电质或半导体基片及设于凹槽内的高电导率金属块或接地膜,附着于基片上部的铁氧体膜片,紧贴于铁氧体膜片上的高电导率中心结及其匹配段,位于基片底面的高电导率...
彭斌张万里汪渊张文旭蒋洪川
文献传递
共1页<1>
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