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汪沁

作品数：2 被引量：5H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇制作方法
  • 1篇温度模型
  • 1篇绝缘层
  • 1篇绝缘层上硅
  • 1篇抗ESD
  • 1篇二极管
  • 1篇PIC
  • 1篇SOI
  • 1篇TF
  • 1篇CMOS
  • 1篇EM
  • 1篇ESD
  • 1篇AM

机构

  • 2篇杭州电子科技...

作者

  • 2篇汪沁
  • 2篇张海鹏
  • 1篇吕幼华
  • 1篇高明煜
  • 1篇孙玲玲
  • 1篇冯耀兰
  • 1篇李文钧
  • 1篇魏同立
  • 1篇汪洁
  • 1篇刘国华
  • 1篇张正璠

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 2篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法被引量：5
2006年
为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.
张海鹏汪沁孙玲玲高明煜李文钧吕幼华刘国华汪洁
关键词：ESDSOIPIC
EM NMOST和AM PMOST组合TF SOI CMOS非门下降时间的温度模型
2006年
详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验结果表明,EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门的下降时间随温度升高稍有增加,非常适合于高温应用.如果对其进行优化设计,有利于改善其上升-下降时间温度特性的对称性,提高其最高工作频率.
张海鹏魏同立冯耀兰汪沁张正璠
关键词：绝缘层上硅CMOS
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