李艳萍
- 作品数：8 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法
- 一种基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法，其特征在于，采取以下步骤：(1)按器件参数设计好版图后，在需要深刻蚀的区域空隙中添加额外图形，减少需要深刻蚀区域的被刻蚀面积，加大需要深刻蚀区域与需要浅刻蚀区域被刻蚀面...
- 樊中朝余金中陈少武王章涛陈媛媛李艳萍
- 文献传递
- SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展被引量：5
- 2004年
- SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用高效数值模拟方法研究得出了精确的SOI矩形和梯形大截面脊形波导的单模条件, 设计和制作了单模脊形光波导、多模干涉耦合器(MMI)、可变光衰减器(VOA)、马赫-曾德尔干涉型22热光波导光开关, 在此基础上首次研制出44和88 SOI平面集成波导光开关矩阵.
- 余金中陈少武夏金松王章涛樊中朝李艳萍刘敬伟杨笛陈媛媛
- 关键词：SOI光开关矩阵光波导器件多模干涉耦合器脊形波导单片集成
- 4×4热光SOI波导开关阵列被引量：3
- 2009年
- 设计并制作了阻塞型和完全无阻塞型4×4热光SOI(silicon-on-insulator)波导开关阵列。开关单元采用了多模干涉耦合器(MMI)-MZI(Mach-Zehnder interferometer)结构的2×2光开关。阻塞型光开关附加损耗为4.8～5.4dB,串扰为-21.8dB～-14.5dB。完全无阻塞型光开关阵列附加损耗为6.6～9.6dB,串扰为-25.8～-16.8dB。两者的消光比都在17～25dB内变化,开关单元功耗小于230mW。器件的开关时间小于3μs。功耗和开关速度都明显优于SiO2基和聚合物基的开关阵列。
- 陈媛媛李艳萍余金中
- 关键词：开关阵列SOI
- 基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法
- 一种基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法，其特征在于，采取以下步骤：(1)按器件参数设计好版图后，在需要深刻蚀的区域空隙中添加额外图形，减少需要深刻蚀区域的被刻蚀面积，加大需要深刻蚀区域与需要浅刻蚀区域被刻蚀面...
- 樊中朝余金中陈少武王章涛陈媛媛李艳萍
- 文献传递
- 束传播算法与边界条件的分析和应用
- 2003年
- 详细介绍了波导器件的模拟方法--束传播算法(BPM)和完好匹配层(PML)边界条件的基本原理,并给出基于有限差分的BPM的应用实例.针对算法中所采用的近似,给出BPM的适用范围和基于有限差分的束传播算法的优化方案.
- 李艳萍余金中夏金松严清峰陈媛媛
- 关键词：有限差分光波导器件
- SOI光开关速度和损耗的研究
- 2003年
- 速度和损耗是光开关的两项重要特性指标.文章在介绍SOI热光型和电光型开关工作原理的基础上,分析了波导层和埋层二氧化硅厚度、电极材料、载流子寿命以及掺杂、界面质量、模式失配度和对准性等等因素对于速度和损耗的影响,并相应的提出了一些改善方案.
- 陈媛媛余金中王小龙李艳萍
- 关键词：SOI光开关损耗
- 大规模SOI光波导光开关阵列集成技术
- 余金中陈少武王启明李艳萍孙飞
- 该项目为研究性能优异的光开关，它是实现高速大容量全光网的首要问题之一。该项目在国际上首次将模斑变换器和微型反射镜集成到SOI光开关阵列中，首次研制成功了集成度为8×8和16×16 的SOI光波导开关阵列，其综合技术指标在...
- 关键词：
- 关键词：SOI光波导光开关
- 一种集成有光场模斑变换器的波导光开关阵列及其方法
- 本发明涉及信息光电子技术领域，一种集成有光场模斑变换器的波导光开关阵列及其方法，包括：输入/输出光波导；在各输入/输出光波导上集成的三维光场模斑变换器；各级2×2光开关单元；各级2×2光开关单元之间的连接光波导；光开关驱...
- 陈少武李艳萍余金中
- 文献传递
