公共文化服务平台

采用0.25μmCMOS工艺、适用于LVDS驱动器的高性能多相时钟生成器的设计被引量：7: 2001年; 提出了一种适用于 L VDS驱动器的电荷泵锁相环 (PL L)多相时钟生成器的设计方法 ,特别是在压控环形振荡器 (VCO)设计中采用了高温度补偿和高电源抑制比的新技术 ,使得 VCO的固定频率基本不受温度和电源电压变化的影响 .采用 U MC的 0 .2 5 μm CMOS工艺模型 ,在 Cadence的环境下用 spectre S仿真器模拟 ,结果表明设计的 PL L 对于不同的 PVT:SSS、TTT、FFF、SFS、FSF(头两个字母表示工艺变化引起的模型参数的变化 ,第三个字母表示系统工作条件 :T为 75℃ ,3.3V;S为 12 5℃ ,3.0 V;F为 0℃ ,3.6 V) ,均能得到符合标准要求的7相时钟信号 ,其中 VCO固定频率所对应的温度系数为 32 ppm/℃ ,电源反射比为 0 .2 % /; 陈钰洪志良朱江; 关键词：环形压控振荡器 CMOS工艺集成电路设计

Yb^(3+),Er^(3+)掺杂的SrAl_2O_4∶Eu^(2+),Dy^(3+)长余辉材料的发光特性被引量：8: 2011年; 根据Dorenbos能级模型的推论,利用掺杂Yb3+和Er3+对典型的长余辉材料SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+(简称SAO∶ED)的发光特性(发光强度和余辉时间)进行调制。在发光特性分析中,发展并使用了一种简便易行的解析模型,而不是常用的多项e指数衰减函数的经验模型。研究发现,正如Dorenbos所预言的,Yb3+掺杂确实能够提高SAO∶ED的发光强度;但进一步研究发现,Yb3+不完全是发光中心,而是一种辅助激发中心。Er3+掺杂效果也和Dorenbos的预言相同,即它是一种俘获中心;但是当Er3+和Yb3+共掺杂时,Er3+却有一种脱俘作用,使得初始发光强度增强,衰减常数变小,但蓄光能力变化不大。; 郝洪辰陈斌朱江陆明; 关键词：长余辉材料掺杂铝酸锶

雄激素抑制对出血创伤后细胞免疫反应影响的实验研究: 该实验在建立不同水平雄激素抑制及出血创伤动物模型的基础上,从细胞免疫方面探索雄激素抑制如何提高出血创伤后的免疫功能,比较何种水平的雄激素抑制具有更好的保护作用,为临床上应用雄激素抑制措施,提高男性患者的手术创伤耐受力提供...; 朱江; 关键词：细胞免疫手术创伤雄激素淋巴因子; 文献传递

纳米晶体硅对不同光照的光致发光响应: 近年来,硅基光电子学取得了很多突破性的进展。自从Canham与1990年发现多孔硅发光性质以来,从光学谐振腔,到集成于归硅片上的光波导结构都取得了很大的进步。对于硅基光源的研究在理论和实验上都有了一定的现象和解释,但是在...; 朱江吴翔张淼王音宁西京赵有源陆明; 关键词：光致荧光受激辐射光学增益; 文献传递

电力线载波产品研发的跨部门协调机制: 电力监控企业生产的绝大多数产品是依托一种典型的技术——电力线载波通讯技术。电力线载波通讯技术是一把“双刃剑”,有着明显优点和缺点:优点是可以利用现场现有的电力线进行通讯,不用另外铺设通讯线路,所以成本很低;缺点是通讯效果...; 朱江; 关键词：电力线载波通信; 文献传递

纳米晶体硅对不同光照的光致发光响应: 本文的研究对象是采用物理气相沉积法在硅片上制备的多种硅氧合物的光致发光响应。在制备镶嵌有纳米晶体硅的二氧化硅薄膜的基础上，使用倍频的钛宝石飞秒激光对样品进行了脉冲线泵浦测量了其受激自发辐射的光学增益系数，以及通过脉冲点泵...; 朱江吴翔张淼王音宁西京赵有源陆明; 关键词：光致发光受激辐射光学增益

一种长余辉材料的生产方法: 本发明属于发光材料技术领域，具体为一种长余辉材料的生产方法。本发明通过改变掺杂配比来调制长余辉材料发光效率和发光性能。本发明选用铝酸锶作为基质，其原料为碳酸锶和氧化铝；选用Eu、Dy、Er、Yb四种元素作为多中心掺杂，避...; 郝洪辰陈斌陆明朱江; 文献传递

高速数据发接器的研究与实现: 论文的主要工作和内容如下:1.深入研究了数据传输系统的传输方式.首先对数据传输的介质-传输线的性质、行为特征做分类研究.其次,系统阐述了数据传输系统的设计技术和设计思想.2.在对高速数据发接系统的特征进行总结的基础上,系...; 朱江; 关键词：数据传输系统传输方式信号传输系统锁相环电路噪声源; 文献传递

纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的制备和光致发光特性研究: 尽管晶体硅在光发射方面不尽如意,但人们并没有放弃以硅作为发光材料的努力,并在硅基发光材料方向进行锲而不舍的探索,纳米结构硅可能是一类有希望的新型硅基发光材料,包括纳晶硅镶嵌二氧化硅。本报告介绍我们在纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜...; 方芳朱江张尉许宁吴嘉达; 文献传递

硅纳米晶的制备及影响其光致发光因素研究: 2012年; 经过大量的实验得出硅纳米晶(Si-nc)的发光波长位置在750nm附近,从而验证了Si-nc的制备成功.其次,研究了在Si-nc的制备过程中制备不同的多层结构,掺杂不同的稀土元素,是否钝化等方法对材料进行处理后的Si-nc的光致发光强度,其实验结果表明多层结构对Si-nc的发光强度有一定的影响,掺杂不同的稀土元素后Si-nc的发光强度不同,且猝灭效应会降低Si-nc的发光强度,而钝化方法可提高Si-nc的发光强度.; 陈家荣朱江陆明; 关键词：光致发光猝灭效应量子限制效应

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

朱江