陆明
- 作品数：69 被引量：42H指数：4
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金国家教育部博士点基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 沉积速率及相关工艺条件对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜性质的影响被引量：27
- 2000年
- 在玻璃基板上用直流反应磁控溅射钛靶的方法制备TiO2 薄膜。在溅射总气压为 0 4Pa ,氧氩比分别为 1∶9,1∶5及 1∶3 2的情况下 ,调节溅射功率使沉积速率由 0 99nm/min变化到 12 12nm/min ,而且当基板温度为 34 0℃时 ,薄膜在可见光范围内的平均折射率基本不变 ,为 2 48± 0 0 3,而薄膜的表面形貌却有明显变化。XRD表明 ,在pO2 /pAr为 1∶9的条件下 ,薄膜中出现了TiOx(x <2 )的晶粒 ,但这对薄膜的光学性质并无影响。另外对TiO2
- 张永熙沈杰杨锡良陈华仙陆明严学俭章壮健
- 关键词：二氧化钛薄膜反应磁控溅射光学薄膜
- Si纳米阵列宽光谱吸收的理论和实验研究
- 王松有王子仪张荣君陆明
- 一种以高压氢钝化提高光增益的硅纳米晶的制备方法
- 本发明具体为一种以高压氢钝化提高光增益的硅纳米晶的制备方法。本发明借助半导体电子电路领域较为常见的氢钝化原理，以氢气为材料处理的基本原料，并以适当加温和高圧密封为手段，实现材料钝化。硅纳米晶作为一种全硅发光材料，其制备过...
- 张驰周文捷马磊张宇宸陆明
- 文献传递
- 一种对Si量子点掺杂的方法
- 本发明为一种对Si量子点掺杂的方法。具体是采用真空蒸发技术在已经制备好的嵌有Si量子点的SiO<Sub>2</Sub>薄膜表面上蒸镀一层TeF<Sub>3</Sub>薄膜，然后低温退火，使CeF<Sub>3</Sub>扩...
- 方应翠陆明章壮健
- 文献传递
- 一种用于通用照明的硅白光发光二极管及其制备方法
- 本发明属于硅光技术领域，具体为一种用于通用照明的硅白光发光二极管及其制备方法。本发明使用三乙氧基硅烷作为原材料，通过高温退火、氢氟酸腐蚀、表面改性等步骤制备得到独立的硅纳米晶（Si‑NC），将该硅纳米晶与旋涂玻璃（SOG...
- 薛夏妍张宇宸张驰陆明
- 文献传递
- 一步完成扩散、表面钝化和减反射的太阳电池制备方法
- 本发明属于太阳能光伏电池技术领域，具体为一种一步完成扩散、表面钝化和减反射的太阳电池制备方法。具体步骤包括：半导体片表面旋涂或喷涂扩散源，或者采用气态源；半导体片在空气中加热，同时形成p-n结、上下表面钝化层和减反射膜；...
- 王亮兴陆明
- 文献传递
- 一种肖特基结增强的体缺陷吸收近红外探测器及其制备方法
- 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种肖特基结增强的体缺陷吸收近红外探测器及其制备方法。本发明的近红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、金属层、掺杂硅衬底(P型或N型、平面硅或黑硅)、钝化层、背面电极。本发明利...
- 吴锂俞亮戴希远杨颜如孙剑陆明
- 一种制备高活性可见光催化剂的方法
- 本发明属于可见光催化技术领域，具体为一种制备高活性可见光催化剂的方法。具体步骤为：采用管式电阻炉，使SrTiO<Sub>3</Sub>在高温下氨化，进行N掺杂；再在氮氢气中氢化，除去掺氮SrTiO<Sub>3</Sub>...
- 孙涛陆明
- 文献传递
- 一种背接触式黑硅电池及其制备方法
- 本发明属于光伏技术领域，具体为一种背接触式黑硅电池的制备方法。本发明使用银纳米颗粒诱导化学腐蚀制备高吸收率黑硅，背表面黑硅将有效提升硅片在700nm至1500nm的吸收，而受光面将采用表面织构化技术。产生的300‑150...
- 周智全胡斐戴希远陆明
- 出现电势谱元素灵敏度的比较测定被引量：1
- 1996年
- 对一些元素的出现电势谱（APS）进行了比较测定，给出了8种元素的APS相对灵敏度因子，那些具有较高空态密度的元素，如镧系元素、锕系元素和3d过渡金属中的大部分，其APS灵敏度较大。
- 张强基陆明华中一
- 关键词：出现电势谱
