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张东亮

作品数：3 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电器件
  • 1篇探测器
  • 1篇锡合金
  • 1篇近红外
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格常数
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇光学
  • 1篇光学器件
  • 1篇硅基
  • 1篇合金
  • 1篇红外
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇SN
  • 1篇锗

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇华侨大学

作者

  • 3篇张东亮
  • 3篇成步文
  • 3篇薛春来
  • 3篇王启明
  • 2篇张广泽
  • 2篇苏少坚
  • 1篇李传波
  • 1篇李冲

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Ge(001)衬底上分子束外延生长高质量的Ge_(1-x)Sn_x合金被引量：1
2013年
Ge1-xSnx是一种新型IV族合金材料,在光子学和微电子学器件研制中具有重要应用前景.本文使用低温分子束外延(MBE)法,在Ge(001)衬底上生长高质量的Ge1-xSnx合金,组分x分别为1.5%,2.4%,2.8%,5.3%和14%,采用高分辨X射线衍射(HR-XRD)、卢瑟福背散射谱(RBS)和透射电子显微镜(TEM)等方法表征Ge1-xSnx合金的材料质量.对于低Sn组分(x5.3%)的样品,Ge1-xSnx合金的晶体质量非常好,RBS的沟道/随机产额比(χmin)只有5.0%,HR-XRD曲线中Ge1-xSnx衍射峰的半高全宽(FWHM)仅100″左右.对于x=14%的样品,Ge1-xSnx合金的晶体质量相对差一些,FWHM=264.6″.
苏少坚张东亮张广泽薛春来成步文王启明
关键词：锗分子束外延
GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏离被引量：2
2012年
在Si(001)衬底上,以高质量的弛豫Ge薄膜作为缓冲层,先后生长Sn组分x分别为2.5%,5.2%和7.8%的完全应变的三层Ge_(1-x)Sn_x合金薄膜.在Si(001)衬底上直接生长了x分别为0.005,0.016,0.044,0.070和0.155的五个弛豫Ge_(1-x)Sn_x样品.通过卢瑟福背散射谱、高分辨X射线衍射和X射线倒易空间图等方法测量了Ge_(1-x)Sn_x合金的组分与晶格常数.实验得到的晶格常数相对Vegard定律具有较大的正偏离,弯曲系数b=0.211 A.
苏少坚成步文薛春来张东亮张广泽王启明
关键词：晶格常数
硅基IV族光电器件研究进展(二)——光电探测器被引量：3
2014年
基于Ge、GeSn等IV族材料的硅基探测器与Si CMOS工艺兼容性好,成本低廉,并且易于与硅基波导器件集成,因而具有非常重要的应用价值。介绍了中国科学院半导体研究所在相关硅基IV族合金材料外延制备及相关器件方面的研究,重点介绍在硅基Ge面入射探测器、波导型探测器、吸收电荷倍增分离型(SACM)结构雪崩光电探测器以及GeSn光电探测器方面的一些研究进展。
李冲张东亮薛春来李传波成步文王启明
关键词：探测器光电探测器光学器件
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