常永嘉
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺
- 本发明涉及双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺。采用“由下至上”微纳制造技术生长制作工艺方式，结合沉积方法及模板－组装的集成技术来构筑所需的纳米结构管场效应晶体管，实现纳米结构的管场效应晶体管自下而上制...
- 许高斌陈兴周琪王鹏常永嘉汪祖民
- 文献传递
- 柔性衬底单壁碳纳米管随机网络场效应晶体管的研究
- 碳纳米管具有独特的电学和机械特性，使其在纳米电子学领域拥有广泛的应用前景。本文阐述了碳纳米管的结构和性能，对单壁碳纳米管进行分散处理，制备出以碳纳米管随机网络作为导电沟道的场效应器件，并对器件的电学性能进行测试分析。最后...
- 常永嘉
- 关键词：场效应晶体管电学性能
- 单壁碳纳米管随机网络场效应晶体管
- 2010年
- 使用超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNT),利用匀胶机把分散获得的、含有SWCNT的悬浮液均匀旋涂于SiO2/Si基上,利用萌罩式电子束蒸发技术在碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏源Au电极。该制备技术避免了碳纳米管器件更多的化学接触,有效确保碳纳米管的纯度。该碳纳米管场效应晶体管器件采用重掺杂Si作为背栅、SWCNT随机网络薄膜为导电沟道。在室温环境下利用Keithley-4200对器件性能进行了测试分析,器件开启电流约为1μA,峰值跨导为326nS。该方法制备的SWCNT随机网络场效应晶体管,具有工艺实现简单、器件性能稳定、重复性和一致性好等特点,并可以用于构建CNT逻辑电路。该技术对于研究低成本、大规模基于CNT的集成电路来说,具有较高的借鉴价值。
- 许高斌王鹏陈兴常永嘉
- 关键词：场效应晶体管超声分散背栅
- 碳纳米管随机网络场效应晶体管电学性能分析
- 2012年
- 利用电子束蒸发技术在Si衬底形成Au电极作为底栅电极,在底栅电极上生长SiO2薄膜。超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNTs),使用匀胶机将单壁碳纳米管悬浮液均匀旋涂于SiO2薄膜上。再利用荫罩式电子束蒸发技术,在单壁碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏源电极。该工艺过程避免了碳纳米管过多的化学接触,有效地保护了碳纳米管的性状。在室温条件下对器件电学性能进行测试和分析。使用该方法制备的单壁碳纳米管随机网络薄膜场效应晶体管,具有器件性能稳定、重复性和一致性较好等优点,并可用于构建碳纳米管逻辑电路。该方法对于研究基于碳纳米管的大规模、低成本的集成电路,具有较高的借鉴价值。
- 常永嘉皇华黄文龙
- 关键词：单壁碳纳米管随机网络场效应晶体管
- 双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管
- 本实用新型涉及双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管。在顶栅、底栅栅压不变情况下，通过改变底栅栅压的大小使得沟道电导可调，通过改变顶栅栅压的极性使得沟道导电类型可调。本实用新型即可制备在硬质衬底也可制备在柔性衬底上...
- 许高斌陈兴周琪王鹏常永嘉汪祖民
- 文献传递
- 双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺
- 本发明涉及双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺。采用“由下至上”微纳制造技术生长制作工艺方式，结合沉积方法及模板－组装的集成技术来构筑所需的纳米结构管场效应晶体管，实现纳米结构的管场效应晶体管自下而上制...
- 许高斌陈兴周琪王鹏常永嘉汪祖民
