汪祖民
- 作品数：8 被引量：22H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学机械与汽车工程学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金安徽省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术机械工程更多>>
- SOI特种高g值MEMS加速度计设计与分析被引量：15
- 2010年
- 基于SOI技术,利用ICP体硅深加工,设计分析了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用三梁-扇形质量块平板内振动结构。对称的布局方式,有效的消除了灵敏度的交叉干扰,提高了传感器的测量精度。论文建立了理论模型,并利用ANSYS软件对传感器进行模拟分析与验证,理论与模拟分析结论吻合较好。分析表明,加速度计在X轴向和Y轴向灵敏度分别为1.2μv/g和1.18μv/g;谐振频率分别为479kHz和475kHz。可实现对量程高达25万g加速度的测量。
- 许高斌汪祖民陈兴
- 关键词：加速度计SOI
- 双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺
- 本发明涉及双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺。采用“由下至上”微纳制造技术生长制作工艺方式，结合沉积方法及模板－组装的集成技术来构筑所需的纳米结构管场效应晶体管，实现纳米结构的管场效应晶体管自下而上制...
- 许高斌陈兴周琪王鹏常永嘉汪祖民
- 文献传递
- SOI高g值压阻式加速度传感器与工艺实现
- 2013年
- 基于SOI技术,利用电感耦合等离子体硅深加工,设计制备了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用扇形敏感质量块平板内振动结构。对称的布局方式,有效地消除了灵敏度的交叉干扰,提高了传感器的测量精度。测试系统分析出加速度传感器的灵敏度是1.170μV/g。研究表明该加速度传感器可实现对量程高达25×104g加速度的测量。
- 许高斌陈兴马渊明卢翌汪祖民
- 关键词：高G值压阻式加速度传感器SOI
- 一种新型三轴电容式加速度计的设计分析被引量：7
- 2010年
- 设计了一种新型结构的体硅工艺梳齿电容式加速度计,该设计采用2个检测质量块,分别检测水平方向和垂直方向的加速度。x,y水平方向不对称梳齿的设计,消除了z轴对水平轴向加速度的干扰,同时z轴支撑梁的设计,解决了水平轴向对z轴的干扰。电容的差分结构有利于提高加速度计的检测性能。用Ansys仿真软件对敏感结构进行静态和模态分析,理论上验证了所提出的三轴电容式加速度计整体结构的可行性。
- 王守明汪祖民
- 关键词：电容式加速度计体硅工艺
- 基于SOI硅片高g值加速度计的设计与分析
- 2010年
- 基于SOI硅片，设计了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元，采用三梁一扇形质量决平板内振动结构，与传统的平面外振动结构相比较，该结构具有较高的谐振频率与灵敏度。采用两两相对的单元布局方式，可有效的消除横向灵敏度的影响，提高结构的测量精度。建立理论模型并利用ANSYS软件对结构进行模拟分析与验证。分析表明，加速度计在X轴向、Y轴向灵敏度分别为1.2μv／g、1.18μv／g；谐振频率分别为479KHz、475KHz。可实现对量程高达25万g加速度的测量。
- 汪祖民许高斌展明浩郭群英方澍
- 关键词：加速度计SOI
- 双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管
- 本实用新型涉及双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管。在顶栅、底栅栅压不变情况下，通过改变底栅栅压的大小使得沟道电导可调，通过改变顶栅栅压的极性使得沟道导电类型可调。本实用新型即可制备在硬质衬底也可制备在柔性衬底上...
- 许高斌陈兴周琪王鹏常永嘉汪祖民
- 文献传递
- 双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺
- 本发明涉及双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺。采用“由下至上”微纳制造技术生长制作工艺方式，结合沉积方法及模板－组装的集成技术来构筑所需的纳米结构管场效应晶体管，实现纳米结构的管场效应晶体管自下而上制...
- 许高斌陈兴周琪王鹏常永嘉汪祖民
- SOI高g值压阻式加速度传感器的研制
- 微机械加速度传感器是一种重要的惯性测量器件,具有体积小、重量轻、响应快、易于加工等优点,目前在国内外已有着广泛的应用,其中高g值加速度计在国防事业中有着非常重要的应用价值,如硬性目标的侵彻、装甲的贯穿等。目前国内在高g值...
- 汪祖民
- 关键词：速度传感器
- 文献传递
