唐景昌
- 作品数：35 被引量：32H指数：3
- 供职机构：浙江大学物理系物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 利用σ^＊—共振峰位决定分子键长被引量：1
- 1990年
- 近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)是近年来迅速发展的表面结构分析手段,特别对于分子吸附系统NEXAFS能提供分子取向和键长等信息,与实验研究状况相比较,分子NEXAFS谱的计算显得很不够。本文作者首次利用原子集团多重散射方法(MSC)研究了甲酸在Cu(100)表面催化分解的分子结构以及乙炔、乙烯在Cu表面的吸附结构。
- 唐景昌沈俊锋冯小松陈一兵
- 关键词：多重散射
- MSC理论研究固体CS_2的实验谱(英文)
- 1997年
- 用近边Ｘ射线吸收精细结构（ＮＥＸＡＦＳ）的多重散射集团（ＭＳＣ）方法对固体ＣＳ２的硫Ｋ－边ＮＥＸＡＦＳ实验谱进行了详细的研究，结果表明：１．确认了Ｋ－边ＮＥＸＡＦＳ实验谱的主体结构是双σ＊键和π＊；２．固体ＣＳ２中同时存在硫的单键和双键和对应的两种吸收谱；３．π＊几乎全由双键所贡献，而双σ＊则分别由单键和双键所贡献；４．ＮＥＸＡＦＳ实验谱是两种吸收谱的叠加。
- 徐纯一唐景昌
- 关键词：NEXAFS二硫化碳
- X射线吸收精细结构的原子集团多重散射理论
- 1991年
- 本文以电子散射的动力学理论为基础,用一个原子集团模拟吸附表面样品,发展了用于研究近边X射线吸收精细结构的原子集团多重散射理论方法(MSC)。我们将MSC方法应用于结构已知的气相CO分子以及CO-Ni(001)表面,求得结果与LEED和光电子衍射的一致。这表明MSC可能成为分析无序吸附系统结构的新方法。
- 唐景昌傅送保季红陈一兵
- 关键词：多重散射NEXAFS
- 遗传算法在低能电子衍射结构分析中的应用
- 2000年
- 提出了一种在低能电子衍射 ( LEED)结构分析中自动搜寻最佳模型的优化方法——遗传算法和张量 LEED相结合的联合方法 .这种新方法的特点是能在全部参数变化范围内自动搜寻 ,避免了陷入“局域”优化模型的困难中 .本文给出了这一方法的应用实例 。
- 何江平唐景昌唐叔贤
- 关键词：遗传算法低能电子衍射LEED
- 多重散射团簇理论对CO/NiO(100),NO/NiO(100)吸附系统的分析与比较被引量：1
- 2000年
- 用多重散射团簇(MSC)理论对CO/NiO(100)和NO/NiO(100)吸附系统的C1s近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)和N1sNEXAFS谱进行了详细的计算和分析.理论计算表明CO/NiO(100)是弱物理吸附,CO分子与表面的多极静电相互作用很弱,σ共振不依赖C—O键长的变化,MSC方法分析表明,CO是以C原子朝下,吸附在衬底的Ni—O键桥上,可靠性因子计算显示C原子的吸附位置距Ni原子009nm,CO分子中C原子距衬底的吸附高度为031±001nm,CO分子倾斜角不大于25°.理论计算证实NO/NiO(100)是弱化学吸附,σ共振明显地依赖N—O键长而变化,NO分子倾斜角的范围为35°—55°,NO键长为0118nm,NO分子的吸附高度为020nm.分析了CO/NiO(100)C1sNEXAFS谱中共振峰的物理起因,讨论了物理吸附与化学吸附物理机制的差别.
- 庄飞唐景昌何江平汪雷
- Ge(111)表面氯自组装系统的近边X射线吸收精细结构理论研究被引量：2
- 2002年
- 利用多重散射团簇方法 (MSC)首次对Cl/Ge(111)自组装系统的Cl原子K边X射线吸收精细结构 (NEXFAS)进行了详细的计算和分析。研究揭示了实验NEXFAS谱峰的物理起源。其中最显著一个峰来源于Cl和正位于其下的Ge之间的散射。同时还得到了吸附系统的局域结构 ;Cl吸附在Ge(111)面的顶位 ,吸附高度是 0 2 15± 0 0 0 5nm ,Cl在Ge(111)表面自组装形成了一个单分子层。这些结果和广延X射线吸收精细结构 (EXFAS)
- 曹松唐景昌汪雷李攀峰
- 关键词：半导体
- 近边x射线吸收精细结构的多次散射集团方法
- 1989年
- 作者将光电子衍射动力学理论推广到原子集团问题,发展了无序系统的多重散射集团方法(MSC),应用这个方法研究了固溶体K_xNa_(1-x)Cl的结构,发现混合微晶模型计算结果与实验非常符合。对MSC方法考察表明它特别适合于小分子在金属表面的吸附结构研究。
- 唐景昌沈俊锋冯小松冯克安
- 关键词：固溶体
- Si_3N_4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究被引量：1
- 2001年
- 利用原位扫描隧道显微镜和低能电子衍射分析了Si的纳米颗粒在Si3N4 /Si(111)和Si3N4 /Si(10 0 )表面生长过程的结构演变 .在生长早期T为 35 0— 10 75K范围内 ,Si在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇 ,这些团簇的大小均在几个纳米范围内 ,并且在高温退火时保持相当稳定的形状而不相互融合 .当生长继续时 ,Si的晶体小面开始显现 .在晶态的Si3N4 (0 0 0 1) /Si(111)表面 ,Si的 (111)小面生长比其他方向优先 ,生长方向与衬底Si(111)方向一致 .最后在大范围内形成以 (111)为主的晶面 .相反 ,在非晶的Si3N4 表面 ,即Si3N4 /Si(10 0 ) ,Si晶体的生长呈现完全随机的方向性 ,低指数面如 (111)和 (10 0 )面共存 ,但它们并不占据主导地位 ,大部分暴露的小面是高指数面如 (113)面 .
- 汪雷唐景昌王学森
- 关键词：氮化硅扫描隧道显微镜晶体生长硅表面
- Si_3N_4/Si表面Ge生长过程的STM研究被引量：1
- 2001年
- 利用STM和LEED分析了Ge在Si3 N4 /Si(111)和Si3 N4 /Si(10 0 )表面生长过程的结构演变。在生长早期 ,Ge在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇 ,这些团簇的大小均在几个纳米范围内 ,并在高温退火时体积增大。当生长继续时 ,Ge的晶体小面开始显现。在晶态的Si3 N4 (0 0 0 1) /Si(111)表面 ,Ge的 (111)晶向的小面生长比其他方向优先。最后在大范围内形成以 (111)方向为主的晶面。相反 ,在非晶的Si3 N4 表面 ,即Si3 N4 /Si(10 0 ) ,Ge晶体的高指数侧面生长较顶面快 ,最终形成金字塔形的岛结构。
- 汪雷唐景昌胡艳芳王学森
- 关键词：氮化硅锗扫描隧道显微镜气相沉积
- 二己二硫醚多层膜局域结构的近边x射线吸收精细结构研究被引量：3
- 2005年
- 利用多重散射团簇(MSC)方法计算了二己二硫醚[CH3(CH2)5S]2单分子和多分子硫原子近边x射线吸收精细结构(NEXAFS)谱,给出了二己二硫醚多层膜的局域结构模型.MSC研究显示多层膜中二己二硫醚分子作平行有序排列,彼此相距0.47nm,其横截面呈规则的正方形.利用离散变分Xα方法计算了二己二硫醚单分子和多分子的电子结构,验证了MSC的计算结果;并阐明了NEXAFS谱中各峰的物理起源.对多层膜中分子之间的相互作用进行了讨论,发现多层膜的局域结构有分子自组装的特性.
- 吴太权唐景昌朱萍李海洋
