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单少杰
作品数:
5
被引量:1
H指数:1
供职机构:
长春理工大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘国军
长春理工大学高功率半导体激光国...
冯源
长春理工大学高功率半导体激光国...
陈芳
长春理工大学
安宁
长春理工大学
李特
长春理工大学高功率半导体激光国...
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单少杰
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长春理工大学...
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一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法
一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术很难同时兼顾纵宽比与被腐蚀面的粗糙度。本发明是一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法。其最终结果可以得到纵宽比较...
单少杰
刘国军
魏志鹏
郝永芹
冯源
安宁
周路
陈芳
罗扩郎
张升云
何斌太
刘鹏程
文献传递
用于高速数据传输的并行光发射组件的研究
被引量:1
2014年
研究并制作了单通道速率为2.5Gbps的12通道并行高速光发射组件。光发射组件采用自行研制的850nm垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)作为光源,光学接口采用了MTP OR(MPO)1×12的带状光纤连接标准。差分信号采用SMA-KHD9插座连接。经测试光发射组件在2.5Gbps速率下传输时误码率低于1×10-13,眼图清晰。
单少杰
刘国军
李特
魏志鹏
郝永琴
冯源
关键词:
垂直腔面发射激光器
一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法
本发明提出了一种硫钝化与快速热退火二步法处理GaSb衬底的方法,采用硫钝化与快速热退火结合处理GaSb衬底,能更大程度降低n型GaSb表面复合率,改善n型GaSb表面的电学特性,使具有稳定的界面,提高n型GaSb基半导体...
陈芳
李占国
刘国军
魏志鹏
马晓辉
徐莉
周璐
张晶
李梅
安宁
王博
张升云
田珊珊
高娴
刘超
单少杰
孙鹏
刘晓轩
文献传递
一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法
一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。由于传统垂直腔面发射激光器有光束质量差的缺点,我们针对于GaAs基垂直腔面发射激光器发明了利用湿法刻蚀制备微透镜的方法。用微透镜作为输出耦合透...
刘国军
单少杰
郝永芹
魏志鹏
冯源
李特
安宁
周路
罗扩郎
陈芳
何斌太
刘鹏程
文献传递
用于十二通道并行光发射模块的VCSEL制备工艺研究
在信息飞速发展的今天,作为通信核心所在的大容量的数据中心内部的数据传输需要更高速率更多通道但传输距离不是很长(一般不超过300米)的传输系统。电互联存在速率带宽有限、电磁兼容困难等问题而无法满足需求。而一般的长距离光传输...
单少杰
关键词:
光发射模块
垂直腔面发射激光器
微透镜
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