刘炳灿
- 作品数：23 被引量：51H指数：5
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- 表面等离激元非线性调控的基础研究
- 近年来，亚波长金属结构中的表面等离激元得到了广泛关注，随着研究方法和实验手段的不断创新，推动着等离子光学的快速发展。基于亚波长金属结构的非线性光子器件可被用于调控光信号，这为未来的集成光路提供了一个可行的方案。实验上已经...
- 刘炳灿
- 关键词：表面等离激元色散关系有限差分法金属光栅
- 文献传递
- 不同模型下爆炸源和层裂源的Lg波特性研究
- 2015年
- 地下核爆炸区域及远区地震波信号中,有二次源即层裂源的贡献,其对区域震相Lg波具有调制作用.本文利用理论地震图数值模拟方法,分析爆炸源和层裂源在3种典型介质速度模型下的区域震相特征,得到了爆炸源和层裂源所激发的Lg波与介质速度模型的关系,并结合CLVD源所激发的S波随震中距的演化过程,对Lg波的形成机制进行了阐述.结果表明,CLVD源是激发地下核爆炸低频Lg波的主要因素.
- 何永锋李锴刘炳灿
- 关键词：地下核爆炸LG波
- 非线性超晶格中波的传输特性
- 2007年
- 把非线性薛定谔方程转化成二阶差分方程，通过迭代此差分方程得到入射波幅和透射系数，讨论了非线性系数不同时可透射的入射波幅的变化。
- 刘炳灿潘学琴
- 玻璃中的半导体量子点被引量：5
- 2002年
- 介绍了玻璃中的半导体量子点 .对玻璃中半导体量子点的生长过程、量子点的电子态 ,量子尺寸效应、库仑阻塞效应及介电效应 ,做了比较全面的介绍 .
- 吴畅书李永升刘炳灿田强
- 关键词：半导体量子点尺寸效应库仑阻塞电子态
- 非线性δ势的透射特征
- 2007年
- 研究了非线性δ势的透射特征,并与线性情况做了对比.
- 刘炳灿任志明潘学琴
- 关键词：透射系数薛定谔方程
- 利用Lg波谱特征估计地下核爆炸装置的埋深
- 2015年
- Lg波同时携带地球介质结构信息和爆炸源引起的二次源信息,是研究地下爆炸震源机制及检测、识别手段的重要震相。基于对某一区域介质结构的了解,将实测Lg波谱特征形态与理论波谱形态进行比对,利用Lg波频谱曲线的低谷点随震源深度"左移"的特征,作为辅助识别手段估计地下核爆炸装置的埋深。研究结果对深入地理解地下核爆炸震源机制有重要的参考意义。
- 何永锋李锴刘炳灿
- 关键词：LG波
- 分数维方法研究GaAs薄膜中的极化子被引量：2
- 2013年
- 本文采用分数维方法,在讨论Al0.3Ga0.7As衬底上GaAs薄膜的分数维基础上,计算了GaAs薄膜中的极化子结合能和有效质量.随着薄膜厚度的增加,极化子结合能和质量变化单调地减小.当薄膜厚度Lw<70A并且衬底厚度Lb<200A时,衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响比较显著,随着衬底厚度的增加,薄膜中极化子的结合能和质量变化逐渐变大;当薄膜厚度Lw>70A或者衬底厚度Lb>200A时,衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响不显著.研究结果为GaAs薄膜电子和光电子器件的研究和应用提供参考.
- 武振华李华严亮星刘炳灿田强
- 关键词：极化子
- CdSeS量子点的光吸收谱亚结构和光致发光激发谱分析被引量：4
- 2005年
- 用光致发光激发(PLE)谱分析吸收谱的亚结构。实验样品是共熔法制备的CdSeS量子点玻璃,量子点的生长时间分别为2h和4h,高分辨透射电子显微镜(HRTEM)分析得到样品中量子点的平均直径分别为3.6nm和3.8nm。在室温下对样品进行了光吸收谱和光致发光激发谱研究。光吸收谱显示了量子尺寸效应,光致发光激发谱中低能端有两个明显的峰。考虑价带简并以及电子与空穴之间的相互作用,通过理论分析和数值计算,得到1S3/2-1Se和2S3/2-1Se的跃迁能量及其随量子点半径的变化,由此确认光致发光激发谱中的两个峰分别为1S3/2-1Se和2S3/2-1Se跃迁。
- 刘炳灿田强吴正龙
- 关键词：光谱学量子点
- 玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究被引量：2
- 2003年
- 用光致发光激发光 (PLE)谱与光吸收谱和光致发光 (PL)谱相结合 ,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析 .PLE谱表明带边激子发光的主要来源是 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫 ,而缺陷态发光的来源除了 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫外 。
- 刘炳灿吴正龙田强
- 关键词：半导体量子点光致发光谱光吸收谱纳米材料
- 半导体量子点光吸收谱线亚结构的PLE谱分析
- 2005年
- 用半导体量子点的PLE谱分析了光吸收谱的亚结构.用光吸收谱,光致发光谱(PL)和光致发光激发光谱(PLE)对半导体CdSeS量子点玻璃进行了测量.光吸收谱线有明显的量子尺寸效应.PL谱中出现2个发光峰.用PLE谱在光吸收谱的低能侧峰附近探测,发现光吸收谱的低能侧峰附近存在2个峰,其能量间距随着量子点半径的增大而减小,说明了光吸收谱的低能侧峰存在亚结构.证明了PL谱中低能侧峰为缺陷态发光,该峰的PLE谱线说明了该峰的发光来源于1S3/2-1se和2S3/2-1se2能态的电子,甚至更高能态电子的弛豫.
- 刘炳灿潘学琴田强
- 关键词：半导体量子点光致发光谱光吸收谱亚结构
