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何永成
作品数:
7
被引量:14
H指数:3
供职机构:
昆明物理研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
蔡毅
昆明物理研究所
吴刚
昆明物理研究所
莫玉东
昆明物理研究所
黄晖
昆明物理研究所
雷春红
昆明物理研究所
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作者
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何永成
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蔡毅
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黄晖
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莫玉东
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吴刚
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刘朝旺
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雷春红
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第十三届全国...
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1992
1篇
1990
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外延HgCdTe薄膜用CdZnTe衬底表面的X射线双晶衍射分析
该文用测量材料双晶回摆曲线的方法详细研究了外延HgCdTe(简称MCT)薄膜所用CdZnTe(简称CZT)衬底的表面结构情况。指出对CZT的切割、粗研所引起的表面损伤在用精研及化学腐蚀的方法去除之前,对表面结构完整性的主...
刘朝旺
雷春红
莫玉东
何永成
吴刚
黄晖
关键词:
HGCDTE薄膜
文献传递
碲镉汞液相外延薄膜的应力研究
被引量:3
1992年
用X射线衍射方法对液相外延(LPE)技术生长的碲镉汞(MCT)外延薄膜和CdTe衬底进行了观察与分析。研究表明:MCT薄膜中存在着不同程度的应力,主要表现为晶格的扭曲(300″~1200″范围),这种扭曲致使外延膜双晶回摆曲线宽化,宽化值为100″~150″,外延膜的晶格扭曲与CdTe衬底的不完整性有对应关系。研究还表明:LPE的生长条件对外延膜中的晶格扭曲也有较大影响。本文还讨论了CdTe衬底晶格扭曲形成的因素并探究了减少外延膜晶格扭曲的方法。
王跃
蔡毅
何永成
汤志杰
孙建坤
庄维莎
关键词:
液相
碲镉汞
晶格
应力
HgCdTe晶体缺陷的快速X射线形貌检测法
被引量:2
1993年
本文讨论了HgCdTe晶体缺陷的两种快速X射线形貌检测方法:使用X射线像眼的反射形貌法和反射Laue形貌法。在Laue形貌相机上用X射线像眼,经数分钟的曝光时间可拍摄分辨率约50μm的HgCdTe样品的反射扫描形貌相,而用特制的Laue相机可用20min的曝光时间拍得分辨率约60μm的反射形貌相。
蔡毅
何永成
孙建坤
关键词:
晶体缺陷
样品的表面制备对碲锌镉单晶X射线双晶摆动半峰宽测量的影响
被引量:5
1998年
对碲镉汞(Hg1-xCdxTe,简写MCT)薄膜外延生长通常使用的〈111〉方向的碲锌镉(Cd1-yZnyTe,简写CZT)衬底晶片做了不同的机械磨抛、化学腐蚀的表面制备,在相同的测量条件下进行双晶摆动半峰宽测量.结果表明,样品的表面制备对FWHM值有严重的影响.本文介绍了这种测量所应具有的表面制备及测量条件.
莫玉东
岳全龄
陈华
秦娟
黄晖
吴刚
何永成
李德修
外延HgCdTe薄膜用CdZnTe衬底表面的X射线双晶衍射分析
用测量材料双晶回摆曲线的方法详细研究了外延HgCdTe(简称MCT)薄膜所用CdZnTe(简称CZT)衬底的表面结构情况。指出对CZT的切割、粗研所引起的表面损伤在用精研及化学腐蚀的方法去除之前,对表面结构完整性的主要影...
黄晖
吴刚
何永成
莫玉东
雷春红
刘朝旺
关键词:
X射线
用X射线双晶衍射测量碲镉汞晶片表面的加工损伤
光射线双晶衍射法测量了x=0.273晶向为[220]的碲镉汞晶体在切、磨过程中引入的加工损伤。测出了切割、M5金刚砂研磨过程产生的损伤层厚度分别为4~7μm、12~20μm。测出在碲镉汞晶片中存在大量取向差为1.5′~1...
蔡毅
何永成
关键词:
X射线衍射
X射线晶体学
晶体亚结构
面缺陷
碲镉汞
用X射线双晶衍射测量碲镉汞晶片表面的加工损伤
被引量:5
1990年
用X射线双晶衍射法测量了x=0.273、晶向为[110]的碲镉汞晶体在切、磨过程中引入的加工损伤,测出了在切割、M5金刚砂研磨过程中产生的损伤层厚度分别为4μm~7#m、12μm~20μm,并测出在碲锅汞晶体中存在大量取向差为90"~810"之间的亚晶块.
蔡毅
何永成
关键词:
碲镉汞
晶片
X射线
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