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莫玉东

作品数:13 被引量:14H指数:2
供职机构:昆明物理研究所更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 6篇理学
  • 4篇电子电信
  • 3篇机械工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇碲锌镉
  • 3篇晶体
  • 3篇红外
  • 3篇HG1-XC...
  • 2篇射线
  • 2篇光谱
  • 2篇光谱分析
  • 2篇反斯托克斯
  • 2篇包裹体
  • 2篇薄膜生长
  • 2篇X射线
  • 2篇CDTE
  • 2篇HGCDTE...
  • 2篇LPE
  • 2篇沉积相
  • 2篇CD
  • 2篇RAMA
  • 1篇单晶
  • 1篇液相外延
  • 1篇入射

机构

  • 13篇昆明物理研究...
  • 3篇昆明理工大学
  • 2篇云南大学

作者

  • 13篇莫玉东
  • 5篇黄晖
  • 4篇雷春红
  • 4篇董先庆
  • 3篇何永成
  • 3篇陈华
  • 3篇吴刚
  • 3篇秦娟
  • 3篇岳全龄
  • 2篇谭红琳
  • 2篇刘朝旺
  • 2篇李德修
  • 2篇欧明娣
  • 2篇陈建才
  • 1篇朱颖峰
  • 1篇赵增林
  • 1篇宋炳文
  • 1篇李亚文
  • 1篇卢德明
  • 1篇姬荣斌

传媒

  • 3篇第十三届全国...
  • 3篇第十三届全国...
  • 2篇云南大学学报...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇红外技术
  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2001
  • 8篇1998
  • 1篇1995
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
LPE Hg1-xCdxTe薄膜生长工艺的研究
该文介绍昆明物理研究所开管、水平滑块、富Tc源方式下,生长 Hg1-xCdxTe(MCT)薄膜的液相外延(LPE)工艺技术,对外延膜的一些特性进行了分析。相外延,碲锅汞。
雷春红陈建才欧明娣莫玉东黄晖董先庆
关键词:薄膜生长液相外延
碲锌镉体单晶的Raman-PL光谱的分析被引量:1
2001年
文章对碲锌镉 (CZT) (1 1 1 )取向的拉曼光谱和光荧光谱作了分析。在拉曼光谱中 ,用正斯托克斯测量检测无峰 ,而反斯托克斯 (Anti- Stokes)测出了它的拉曼光谱 ,其中在 (-1 2 5 cm-1)处是横声子振动 (TO) ,(- 1 42 cm-1)处是纵声子振动 (LO)。由于晶体的各向异性 ,在一个平面上 ,同一晶粒旋转不同方向 TO/LO比值与 (1 1 1 )平面等能面截面图相符。另它的PL光谱在 80 7nm(1 .5 3 5 e V) ,FWHM为 3 0 nm(0 .0 5 7e V) ,旋转方向对 PL光谱无影响。故在生长 Hg Cd Te单晶薄膜时 ,要注意衬底 CZT的晶体摆放位置。
谭红琳莫玉东
关键词:光谱分析碲锌镉反斯托克斯各向异性单晶
外延HgCdTe薄膜用CdZnTe衬底表面的X射线双晶衍射分析
该文用测量材料双晶回摆曲线的方法详细研究了外延HgCdTe(简称MCT)薄膜所用CdZnTe(简称CZT)衬底的表面结构情况。指出对CZT的切割、粗研所引起的表面损伤在用精研及化学腐蚀的方法去除之前,对表面结构完整性的主...
刘朝旺雷春红莫玉东何永成吴刚黄晖
关键词:HGCDTE薄膜
文献传递
垂直布里奇曼法生长CdTe和CdZnTe衬底晶体中的沉积相或包裹体及其检测
了垂直布里奇曼方法生长的CdTe和CdZnTe衬底晶体中沉积相对衬底质量和外延碲镉汞薄膜质量的影响、沉积相或包裹体形成的原因、控制原理以及减少沉积相密度和尺寸的方法;给出了不同CdTe和CdZnTe晶体样品中沉积相的红外...
莫玉东董先庆秦娟岳全龄陈华
关键词:晶体沉积相
Hg_(1-x)Cd_xTe的共振拉曼散射被引量:1
2001年
当入射光的光子能量接近Hg1 -xCdxTe的E0 +Δ0 时 ,发现了Hg1 -xCdxTe的共振拉曼散射 ,观察到了“禁戒”共振增强拉曼散射 ,同时也观察到了二级共振拉曼散射 .分析了非共振条件下能在样品的 (10 0 )面观察到微弱的“禁戒”TO2 模以及在共振条件下“禁戒”TO2 模大大增强的原因 .通过分析 ,发现由双LO声子引起的二级共振拉曼散射主要由带内的Fr hlich相互作用造成的 .
黄仕华莫玉东
关键词:HG1-XCDXTE红外探测器入射光
LPE Hg1-xCdxTe薄膜生长工艺的研究
介绍昆明物理研究所开管、水平滑块、富Tc源方式下,生长 Hg1-xCdxTe(MCT)薄膜的液相外延(LPE)工艺技术,对外延膜的一些特性进行了分析。相外延,碲锅汞。
董先庆黄晖莫玉东欧明娣陈建才雷春红
关键词:薄膜生长
检测半导体材料内部缺陷的红外装置
本实用新型公开了一种检测装置,主要用于禁带宽度大于1.12eV的半导体材料内部缺陷的检测。其主要技术方案是:由光学显微镜、红外CCD摄像头、视频电缆、模拟图像监视器、数字图像采集卡、计算机、分析处理和显示软件,组成一个完...
李亚文姬荣斌赵增林莫玉东卢德明朱颖峰
文献传递
样品的表面制备对碲锌镉单晶X射线双晶摆动半峰宽测量的影响被引量:5
1998年
对碲镉汞(Hg1-xCdxTe,简写MCT)薄膜外延生长通常使用的〈111〉方向的碲锌镉(Cd1-yZnyTe,简写CZT)衬底晶片做了不同的机械磨抛、化学腐蚀的表面制备,在相同的测量条件下进行双晶摆动半峰宽测量.结果表明,样品的表面制备对FWHM值有严重的影响.本文介绍了这种测量所应具有的表面制备及测量条件.
莫玉东岳全龄陈华秦娟黄晖吴刚何永成李德修
外延HgCdTe薄膜用CdZnTe衬底表面的X射线双晶衍射分析
用测量材料双晶回摆曲线的方法详细研究了外延HgCdTe(简称MCT)薄膜所用CdZnTe(简称CZT)衬底的表面结构情况。指出对CZT的切割、粗研所引起的表面损伤在用精研及化学腐蚀的方法去除之前,对表面结构完整性的主要影...
黄晖吴刚何永成莫玉东雷春红刘朝旺
关键词:X射线
碲锌镉晶体的范性形变研究被引量:4
1995年
从经典的晶体范性形变的理论模型和面心立方闪锌矿结构晶体所具有的滑移特性出发,对跨锌镉晶体经特定化学试剂侵蚀后在(111)和(111)面上出现的不同形貌蚀坑的形成机理进行了探讨,提出了碲锌镉晶体中存在多系滑移,从而阐明了不同极性面上蚀坑的成因。
唐家钿莫玉东雷春洪陈健才宋炳文
关键词:碲锌镉晶体红外焦平面
共2页<12>
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