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丁艳丽

作品数:27 被引量:61H指数:3
供职机构:商丘师范学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金天津市科技支撑计划更多>>
相关领域:理学电气工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇理学
  • 5篇电气工程
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇文化科学
  • 1篇语言文字

主题

  • 8篇电池
  • 6篇太阳电池
  • 6篇微晶硅
  • 6篇微晶硅薄膜
  • 6篇硅薄膜
  • 5篇面粗糙度
  • 5篇表面粗糙度
  • 5篇粗糙度
  • 4篇纳米
  • 3篇偏振
  • 3篇钙钛矿
  • 3篇标度
  • 3篇掺杂
  • 3篇衬底
  • 2篇电极
  • 2篇氧化硅
  • 2篇液相
  • 2篇液相反应
  • 2篇荧光
  • 2篇圆偏振

机构

  • 15篇商丘师范学院
  • 8篇南开大学
  • 6篇郑州大学

作者

  • 26篇丁艳丽
  • 6篇谷锦华
  • 5篇张晓丹
  • 5篇乔红贞
  • 5篇赵颖
  • 4篇卢景霄
  • 4篇姚鑫
  • 3篇杨仕娥
  • 3篇魏长春
  • 3篇朱志立
  • 3篇李立强
  • 2篇贾满满
  • 2篇王莹莹
  • 2篇陈永生
  • 2篇刘杰
  • 2篇杨同辉
  • 2篇郜小勇
  • 2篇张文星
  • 2篇王沙沙
  • 2篇梁果

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇真空
  • 1篇发光学报
  • 1篇商丘师范学院...
  • 1篇周口师范学院...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇科技信息
  • 1篇中国科技经济...

年份

  • 3篇2020
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 4篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
核磁共振稳态分析实验的调节技巧被引量:1
2011年
根据核磁共振的基本原理,当外加旋转磁场角频率ω等于核磁矩在稳恒磁场中进动的角频率ω0时,才会出现核磁共振吸收现象。所以核磁共振范围非常小,很容易跳过。为了解决稳态吸收中共振信号调节难的问题,本文依据在实验教学过程中的经验体会,探讨该实验仪器的调节技巧,提出切实可行的办法,对提高学生的操作技能和教学效果,具有一定的实用价值。
丁艳丽乔红贞
关键词:核磁共振核磁矩
一种光‑光上转换钙钛矿薄膜太阳电池的制备方法
本发明涉及光‑光上转换钙钛矿薄膜太阳电池的制备方法,可有效解决利用光‑光上转换空穴传输层来减少钙钛矿薄膜太阳电池近红外光透过损失,提升光电流的问题,方法是,在清洁的透明导电薄膜FTO玻璃衬底上制备致密层,作为电子阻挡层;...
丁艳丽尹乃强乔红贞王蒙王莎莎
文献传递
退火温度对钙钛矿薄膜太阳电池性能影响的研究
钙钛矿吸收层是影响太阳电池光电转换效率的关键因素。本文采用溶液法制备了CHNHPbICl基钙钛矿薄膜太阳电池。研究了退火温度对钙钛矿吸收层结构、形貌及其吸收的影响。结果表明:退火温度的升高有利于薄膜的晶化,晶粒变大,吸收...
丁艳丽姚鑫赵颖张晓丹
关键词:钙钛矿退火温度
文献传递
不同沉积气压制备微晶硅薄膜的表面粗糙度标度行为研究
2011年
采用VHF-PECVD技术制备了两个气压系列不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明:沉积气压Pg=70 Pa时,生长指数β=0.22±0.023,对应有限扩散生长模式;Pg=300 Pa时,β=0.81±0.099,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为,表明:在微晶硅薄膜生长中还要考虑其它粗糙化因素(如阴影作用会增加薄膜表面的粗糙化程度,使生长指数β增大).
丁艳丽乔红贞谷锦华
关键词:微晶硅薄膜表面粗糙度椭圆偏振光谱
科技英语课程教学改革研究
2016年
本文将科技英语的教学分为两个阶段。在两个阶段的综合学习过程中,培养学生的写作能力并熟悉投稿流程;培养学生听和说的能力,同时,提高学生对科技英语的掌握和运用能力。
李立强丁艳丽
关键词:科技英语教学改革教学模式改革
一种太阳能电池防水接线盒
一种太阳能电池防水接线盒,包括上顶紧板和下顶紧板,两个主转动支架的上下两端分别与上顶紧板和下顶紧板固定连接,上顶紧板和下顶紧板分别以主转动支架的销轴中心为支点分别形成杠杆结构,上顶紧板和下顶紧板的其中一端分别通过多个顶紧...
丁艳丽吴萍
一种量子点掺杂二氧化硅@硫化铜荧光光热探针的制备方法及其应用
本发明公开了一种量子点掺杂二氧化硅@硫化铜荧光光热探针的制备方法,该方法通过液相反应方式制备量子点掺杂的二氧化硅球@硫化铜的复合探针。在量子点掺杂二氧化硅结构的制备过程中,加入扩孔剂增大二氧化硅结构的孔径尺寸。复合探针可...
尹乃强丁艳丽杨同辉吴萍王蒙谷旭
文献传递
太阳电池控温测试通用装夹机构
太阳电池控温测试通用装夹机构,包括工作台,工作台底面固定安装数个均匀分布的支撑腿,工作台顶面开设截面为T型的环形槽,环形槽内设有两个截面为T型的滑块,滑块能够沿环形槽移动,滑块顶面外侧分别固定安装伸缩杆,滑块顶面内侧均轴...
丁艳丽
文献传递
二维菱形周期微纳米金属结构的飞秒激光直写制备方法
本发明公开了一种二维菱形周期微纳米金属结构的飞秒激光直写制备方法,技术方案包括以下步骤:第一步,金属样品靶材的抛光和固定;第二步,获取可改变延迟时间、垂直交叉偏振的双脉冲飞秒激光;第三步,飞秒激光的聚焦线;第四步,金属样...
乔红贞梁果丁艳丽石伟萍谷勤忠
文献传递
椭圆偏振技术研究VHF-PECVD高速沉积微晶硅薄膜的异常标度行为被引量:3
2009年
采用VHF-PECVD技术高速沉积了不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明,沉积气压Pg=300Pa时,β=0.81,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为.这表明微晶硅薄膜高速生长中还存在其他粗糙化增加的因素,此粗糙化增加的因素与阴影作用有关.
谷锦华丁艳丽杨仕娥郜小勇陈永生卢景霄
关键词:微晶硅薄膜表面粗糙度
共3页<123>
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