西华师范大学化学化工学院电化学研究所
- 作品数：8 被引量：45H指数：4
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- 氯霉素在p-PTA／CS-AB／GCE修饰电极上的电化学行为及测定被引量：5
- 2016年
- 制备了聚磷钨酸／壳聚糖-乙炔黑修饰电极（p-PTA／CS—AB／GCE），采用循环伏安法（CV）研究了氯霉素在该修饰电极上的电化学行为。结果表明，在pH6．0的PBS溶液中，氯霉素（CAP）在该修饰电极上出现1个还原峰，在40—400mV／s扫速范围内，CAP的还原峰电流与扫速呈线性关系，说明CAP在修饰电极上的电化学反应过程是受吸附控制的不可逆过程。用差分脉冲伏安法（DPV）对不同浓度的CAP进行检测，在5．0×10^-71．0×10^-4mol／L浓度范围内，还原峰电流与浓度呈线性关系，检出限（S／N=3）为5．13×10^-8mol／L。用该方法对氯霉素片进行检测，相对标准偏差（RSD）为1．4％，回收率为97．7％～105．1％。
- 李桂芳何晓英贾晶
- 关键词：氯霉素磷钨酸乙炔黑差分脉冲伏安法修饰电极
- 水杨酸在改性钠基蒙脱土修饰电极上的电化学行为及测定被引量：4
- 2009年
- 用十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）对钠基蒙脱土进行改性，并用红外光谱、X衍射对CTAB—NaM—MT进行表征，制备了改性钠基蒙脱土修饰电极（CTAB—NaMMT—CMC／GCE），研究了水杨酸在该修饰电极上的循环伏安行为。结果表明，在pH0．8的H2SO4-Na2SO4电解质溶液中，SA在1．19V出现一明显的氧化峰，在40400mV／s范围内，其氧化峰电流与扫描速率的平方根（v^1/2）呈良好线性关系，表明电极过程为受扩散控制不可逆过程。测得SA在该修饰电极上的反应电子数、质子数、传递系数及扩散系数分别为2、2、0．389、1．275×10^-6cm^2／s。方波溶出伏安法的氧化峰电流（Ipa）与SA浓度在8．0×10^-7-1．25×10^-4mol／L范围内呈良好的线性关系（r=-0．9996），检出限为2．27×10^-7mol/L，加标回收率为96％-101％。
- 何晓英张艳李容蒋晓丽范向明
- 关键词：钠基蒙脱土十六烷基三甲基溴化铵化学修饰电极电化学行为
- 茶碱在石墨烯／磷钨酸修饰电极上的电化学行为及测定被引量：3
- 2013年
- 采用滴涂法制备了石墨烯/磷钨酸修饰电极（GO-PTA/GCE），运用循环伏安法研究了茶碱（THEO）在该修饰电极上的电化学行为，并讨论了修饰剂石墨烯和磷钨酸的配比及用量、底液种类及浓度、扫速对其测定的影响。运用交流阻抗法研究修饰前后电极表面的特性。结果表明，在0.02 mol/L H2SO4溶液中，THEO在该修饰电极上于1.185 V出现一不可逆氧化峰，且在100-800 mV/s范围内，其峰电流与扫速平方根（v1/2）呈线性关系，表明该电极过程为受扩散控制的不可逆过程。THEO在该修饰电极上的电子转移数n=1，有效面积A=0.116 9 cm2，扩散系数D =6.675×10-5 cm2/s。在优化实验条件下，采用差分脉冲伏安法对THEO进行定量测定，发现THEO的峰电流与其浓度在6.0×10-7-1.0×10-4 mol/L范围内呈良好的线性关系，检出限可达5.5×10-7 mol/L。采用该法对水样中THEO进行检测，回收率为92.6%-106.3%。
- 高渐龙何晓英刘琼燕贾晶
- 关键词：茶碱石墨烯磷钨酸差分脉冲伏安法
- 香兰素在AB/PABSA/GCE修饰电极上的电化学行为及测定被引量：3
- 2015年
- 采用电聚合和滴涂法制备了乙炔黑/聚对氨基苯磺酸修饰电极（AB/PABSA/GCE）,并用交流阻抗法（EIS）进行了表征,运用循环伏安法（CV）对实验条件进行优化后,研究了香兰素（Van）在AB/PABSA/GCE上的电化学行为.结果表明,在pH 7.0的PBS溶液中,Van在该修饰电极上有1个氧化峰,无还原峰,在40 ～ 300 mV/s扫速范围内,Van氧化峰电流与扫速呈线性关系,说明Van在该电极上的电化学反应过程是受吸附控制的不可逆过程.该反应过程中电子转移数及参加反应的质子数均为2,电极有效面积A =0.065 7cm2,扩散系数D=1.557×10-3 cm2/s,反应物吸附量Γ=2.249×10-8 mol/cm2.采用计时电流法（CA）对不同浓度的Van进行测定,结果发现在5～460 μmol/L浓度范围内,氧化峰电流与浓度呈良好的线性关系（r=-0.998 5）,检出限为2.09×10-7 mol/L.运用该方法对巧克力样品进行了检测,回收率为93.0％～114.2％.
- 李桂芳贾晶何晓英
- 关键词：乙炔黑对氨基苯磺酸香兰素电聚合计时电流法
- 对乙酰氨基酚在石墨烯和离子液体复合修饰电极上的电化学行为及其测定被引量：10
- 2012年
- 制备了石墨烯和疏水性离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)复合修饰电极(Gene-BMIMPF6/GCE),运用循环伏安法研究了对乙酰氨基酚(PT)在该复合修饰电极上的电化学行为。结果表明,在pH=6.5的磷酸盐缓冲溶液中,PT在复合修饰电极上出现一对明显的氧化还原峰,在20～260mV/s的扫描速率范围内,其氧化还原峰电流均与扫描速率平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程是受扩散控制的。优化了方波溶出伏安法(SWSV)的实验参数,PT浓度在6.0×10-7～8.0×10-5mol/L范围内与峰电流Ipa呈线性关系,检出限(S/N=3)为1.0×10-7 mol/L。采用该法对PT进行加入回收测定,回收率为96.9%～101.2%。
- 高渐龙何晓英李明齐宋桃魏胤杨雪娟
- 关键词：石墨烯对乙酰氨基酚方波溶出伏安法
- 双氯芬酸钠在石墨烯和室温离子液体复合修饰电极上的电化学行为及其测定被引量：2
- 2012年
- 运用循环伏安法研究了双氯芬酸钠(DS)在石墨烯(Gene)和室温离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)复合修饰电极上的电化学行为。DS在该复合电极上于0.65V处有一不可逆氧化峰。在40～200 mV/s范围内,其氧化峰电流与扫描速率平方根(v1/2)呈良好线性关系,表明电极过程是受扩散控制。测定了部分电极过程参数,优化了方波溶出伏安法(SWSV)的实验参数,DS浓度在1.0×10-7～1.0×10-4mol/L范围内与峰电流Ipa呈良好线性关系,检出限为8.0×10-8mol/L(S/N=3),加标回收率为95.7%～101.7%。
- 高渐龙何晓英宋桃魏胤
- 关键词：石墨烯双氯芬酸钠方波溶出伏安法
- 百草枯在碳纳米管与离子液体复合修饰电极上的电化学行为及测定被引量：12
- 2010年
- 制备了碳纳米管（MWCNTs）和疏水性离子液体1－丁基－3－甲基咪唑六氟磷酸盐（BMIMPF6）复合修饰电极（MWCNTs—BMIMPF6／GCE），并采用红外光谱（IR）分别对MWCNTs、BMIMPF6及MWCNTs—BMIMPF6进行了表征。运用循环伏安法研究了百草枯（PQ）在该修饰电极上的电化学行为。结果表明，在pH7．0的PBS缓冲溶液中，PQ在MWCNTs—BMIMPF6／GCE上出现2对明显的氧化还原峰，在20～200mV／s扫描速率范围内，其氧化还原峰电流均与扫描速率平方根（v^1/2）呈线性关系，表明该电极过程受扩散控制。计算了电极过程的部分动力学参数：电极有效面积A=0．1564cm^2，百草枯在pH7．0的PBS缓冲液中的扩散系数D=7．0×10^-5cm^3／s。优化了方波溶出伏安法（SWSV）的实验参数，发现峰电流Ipal与PQ浓度在7．729×10^-7～9．660×10^-5moL／L范围内呈线性关系，检出限为1．576×10^-7mol／L。采用该方法对实际水样进行检测，增敏回婀率为93％～104％．
- 范向明何晓英张艳李明齐
- 关键词：碳纳米管百草枯电化学行为
- 安乃近在蒙脱土修饰电极上的电化学行为及测定被引量：9
- 2010年
- 制备了蒙脱土修饰电极，并采用循环伏安法研究了安乃近在该电极上的电化学行为。结果表明，该电极过程是一受扩散控制的不可逆过程。用方波溶出伏安法优化了实验参数，测定了浓度与峰电流Ipa的线性关系，发现Ipa与安乃近浓度在2．0×10^-6～8．0×10^-5mol·L^-1之间呈良好的线性关系，其线性回归方程为：Ipa（μA）=0．07784—15443．54c（μmol·L^-1），r=-0．9993，检出限可达1．12×10^-6mol·L^-1，回收率为94．0％～108．25％。该方法可用于药物中安乃近含量的测定。
- 张艳何晓英李容蒋晓丽范向明
- 关键词：蒙脱土安乃近修饰电极循环伏安法
