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西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室

作品数：7 被引量：14H指数：2
相关机构：南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室北京大学物理学院北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国防基础科研计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇异质结
  • 3篇金刚石
  • 3篇刚石
  • 2篇单晶金刚石
  • 2篇氮化镓
  • 2篇双异质结
  • 2篇晶体管
  • 2篇晶体管特性
  • 2篇半导体
  • 2篇氢
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇第三代半导体
  • 1篇多晶金刚石
  • 1篇异质结材料
  • 1篇载流子
  • 1篇生长动力学
  • 1篇失配
  • 1篇势垒
  • 1篇双异质结构

机构

  • 7篇西安电子科技...
  • 1篇北京大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 2篇张进成
  • 1篇吕红亮
  • 1篇董作典
  • 1篇汤晓燕
  • 1篇倪金玉
  • 1篇王悦湖
  • 1篇黎大兵
  • 1篇张义门
  • 1篇张玉明
  • 1篇段焕涛
  • 1篇郑鹏天
  • 1篇郝跃
  • 1篇张金凤
  • 1篇王新强
  • 1篇贾仁需
  • 1篇郭怀新
  • 1篇刘斌
  • 1篇孙钱
  • 1篇孙哲

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2009
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
单晶金刚石氢终端场效应晶体管特性被引量：2
2017年
基于微波等离子体化学气相淀积生长的单晶金刚石制作了栅长为2μm的耗尽型氢终端金刚石场效应晶体管,并对器件特性进行了分析.器件的饱和漏电流在栅压为-6 V时达到了96 mA/mm,但是在-6 V时栅泄漏电流过大.在-3.5 V的安全工作栅压下,饱和漏电流达到了77 mA/mm.在器件的饱和区,宽5.9 V的栅电压范围内,跨导随着栅电压的增加而近线性增大到30 mS/mm.通过对器件导通电阻和电容-电压特性的分析,氢终端单晶金刚石的二维空穴气浓度达到了1.99×10^(13)cm^(-2),并且迁移率和载流子浓度均随着栅压向正偏方向的移动而逐渐增大.分析认为,沟道中高密度的载流子、大的栅电容以及迁移率的逐渐增加是引起跨导在很大的栅压范围内近线性增加的原因.
任泽阳张金风张进成许晟瑞张春福全汝岱郝跃
关键词：金刚石场效应晶体管
背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响被引量：5
2009年
首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同背势垒层的AlGaN/GaN双异质结构材料,通过汞探针CV测试验证了理论计算的正确性.理论计算和实验结果均表明,随着背势垒层Al组分的提高和厚度的增加,主沟道中的二维电子气面密度逐渐减小,寄生沟道的二维电子气密度逐渐增加;背势垒层Al组分的提高和厚度的增加能有效的增强主沟道的二维电子气限域性,但是却带来了较高的寄生沟道载流子密度,因此,在AlGaN/GaN双异质结构的设计时,需要在主沟道二维电子气限域性的提高和寄生沟道载流子密度抑制之间进行折中考虑.
张进成郑鹏天董作典段焕涛倪金玉张金凤郝跃
关键词：ALGAN/GAN双异质结构
硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究被引量：3
2021年
在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效调控了材料应力,保护了氮化镓基材料在多晶外延过程中被氢等离子体刻蚀,使得外延前后氮化物异质结材料特性未发生明显退化。透射电子显微镜测试结果显示,样品具有良好的界面且在金刚石的晶界上存在非金刚石相。本次研究成功实现了氮化镓金刚石的异质集成生长,这对采用金刚石解决氮化镓基HEMT器件的散热问题具有重要意义。
杨士奇任泽阳张金风何琦苏凯张进成郭怀新郝跃
关键词：金刚石氮化镓
大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律被引量：1
2016年
高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界广泛高度重视。本文对大失配、强极化氮化物半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律进行了研究,旨在攻克蓝光发光效率限制瓶颈,突破高Al和高In氮化物材料制备难题,实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构,制备多波段、高效率发光器件和高频率、高耐压电子器件,实现颠覆性的技术创新和应用,带动电子材料产业转型升级。
王新强黎大兵刘斌孙钱张进成
关键词：氮化镓生长动力学
零偏4H-SiC衬底的同质外延方法被引量：1
2014年
基于水平热壁化学气相沉积(CVD)技术,采用原位刻蚀方法,在3英寸(1英寸=2.54 cm)(0001)Si面零偏4H-SiC衬底上生长了高质量的同质外延层,并对其主要工艺参数和生长机制进行了探讨。利用微分干涉相差显微镜、喇曼散射及湿法腐蚀等表征手法对样品进行了测试分析。测量结果表明,4H-SiC占整个外延表面积的99%以上,此外,该工艺消除了4H-SiC同质外延层中的基面位错,提高了外延层的质量。同时对零偏4H-SiC衬底的同质外延的工艺过程和理论进行了研究和讨论,实验发现,生长前的原位刻蚀、初始生长参数、碳硅原子比以及生长温度对于维持外延层晶型、避免3C-SiC多型的产生具有重要影响。
孙哲吕红亮王悦湖贾仁需汤晓燕张玉明张义门杨霏钮应喜
不同晶面的氢终端单晶金刚石场效应晶体管特性被引量：2
2020年
通过微波等离子体化学气相淀积技术生长单晶金刚石并切割得到(110)和(111)晶面金刚石片,以同批器件工艺制备两种晶面上栅长为6μm的氢终端单晶金刚石场效应管,从材料和器件特性两方面对两种晶面金刚石进行对比分析.(110)面和(111)面金刚石的表面形貌在氢终端处理后显著不同,光学性质则彼此相似.VGS=–4 V时,(111)金刚石器件获得的最大饱和电流为80.41 m A/mm,约为(110)金刚石器件的1.4倍;其导通电阻为48.51 W·mm,只有(110)金刚石器件导通电阻的67%.通过对器件电容-电压特性曲线的分析得到,(111)金刚石器件沟道中最大载流子密度与(110)金刚石器件差异不大.分析认为,(111)金刚石器件获得更高饱和电流和更低导通电阻,应归因于较低的方阻.
张金风徐佳敏任泽阳何琦许晟瑞张春福张进成郝跃
关键词：单晶金刚石场效应晶体管
AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及特性研究
通过一维Poisson-Schrǒdinger方程自洽求解,得出AlGaN/GaN/AlGaN双异质结导带结构和二维电子气的分布。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构大大提高了GaN沟道层下方的势垒高...
Fanna Meng孟凡娜Jincheng Zhang张进成Hao Zhou周昊Peishui Cui崔培水Huijuan Wen温慧娟Yue Hao郝跃
关键词：半导体材料双异质结二维电子气
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