长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
- 作品数：525 被引量：1,226H指数：14
- 相关作者：王勇许留洋张贺王丹马祥柱更多>>
- 相关机构：中国科学院半导体研究所海南师范大学物理与电子工程学院吉林师范大学信息技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- CdSe量子点修饰ZnO微米线快速响应的紫外光电探测器被引量：8
- 2022年
- ZnO由于其优异的光电性能,在紫外光探测领域引起了广泛的关注。采用CdSe量子点修饰ZnO微米线,提高了其响应速度和响应度。ZnO和CdSe之间形成的内置电场加速了光生电子空穴对的分离,显著增加了光电流。同时,ZnO和CdSe形成了II型能带结构,加速了载流子输运,使响应时间显著减少。此外,温度相关的电流-电压曲线表明,随着温度的升高,ZnO表面态俘获的载流子从表面陷阱态逃逸,降低了表面态的影响,提高了响应速度。结果显示,CdSe量子点修饰的ZnO微米线光电探测器的上升时间为1.4 s,几乎比ZnO光电探测器小一个数量级。这些优异的光电性能表明,量子点修饰是提高光电探测器性能的重要方法。
- 孙立奇王登魁房丹方铉张振中杨丹楚学影李超群魏志鹏
- 关键词：光电探测器CDSE量子点表面态
- GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究被引量：3
- 2005年
- 分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。
- 刘文莉李林钟景昌王晓华刘国军
- 白光高压LED的加速老化实验研究被引量：2
- 2013年
- 在120℃的环境温度下,对两组GaN基白光高压发光二极管(HV LED)进行了电流对比加速老化实验。实验中,分别向两组HV LED通入20mA和30mA的恒流电流,通过其老化前后光色电性能参数、I-V曲线以及光照度的变化,分析老化的内在机理;根据样品在不同波段的光谱能量变化及其比值,找出LED老化中主要的影响因素。研究结果表明,随着老化时间的增加,芯片电极的欧姆接触退化,以及芯片材料中的缺陷增多,使HV LED电极脱落、芯片发生严重断裂,从而导致芯片老化失效。
- 张丽超高欣薄报学李抒智
- 关键词：GAN
- 用于半导体激光器的高效率复合波导结构被引量：3
- 2017年
- 提出了一种高电光转换效率的新型复合波导半导体激光器结构(Composite Waveguide LD,CWG LD)。该器件结构高的电光转换效率得益于其所采用的Al组分阶梯分布AlxGa1-xAs波导层。通过优化设计波导层电阻率分布及能带分布,CWG LD结构在保证输出光功率的同时,可以有效地降低器件串联电阻并提高电光转换效率。结合理论分析及计算机数值仿真软件,分析了复合波导提升器件电光转换效率的机理。经优化,在激光器条宽为6μm、腔长为1 000μm的情况下,波导层阶梯数为1时CWG LD结构可以获得最大的电光转换效率。研究结果表明:在注入电流为900 m A时,CWG LD结构的串联电阻由常规波导器件结构的3.51Ω降低为2.67Ω,电光转换效率由54.7%提升至69.5%。
- 陈琦鹤范杰马晓辉王海珠石琳琳
- 关键词：半导体激光器串联电阻电光转换效率
- GaAs一维纳米结构生长控制及表面改性方面的研究进展
- 2018年
- 在低维半导体材料研究中,GaAs半导体纳米线基于其直接带隙和电子迁移率高的特点,新一代半导体光电子和光子器件使得GaAs纳米线材料在太阳能电池、探测器、激光器以及高频器件等领域有着广泛的应用前景。GaAs纳米线材料走向实际应用,需要实现对材料形貌的精确可控。本文中针对生长过程中衬底,生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比对材料的影响进行了研究。对目前研究中,GaAs纳米线的表面改性处理进行了整理。
- 夏宁方铉王登魁王新伟房丹唐吉龙魏志鹏
- 关键词：GAAS纳米线改性研究
- InGaAsP单量子阱激光器热特性研究
- 2005年
- 从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W降到0.37 W,斜率效率由1.06 W/A降到0.47 W/A.实验测得其特征温度T0为321 K.激射波长随温度的漂移为0.45 nm/℃.其芯片的热阻为2.44℃/W.
- 张永明钟景昌路国光秦莉
- 关键词：单量子阱激光器INGAASP热特性
- GaSb薄膜生长的RHEED研究被引量：4
- 2006年
- 采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率。实验测量GaSb的生长周期为1.96 s,每秒沉积0.51单分子层。低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量。
- 李林王勇刘国军李梅王晓华
- 关键词：分子束外延
- 新型垂直腔面发射半导体激光器阵列被引量：7
- 2006年
- 设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法,实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜(DBR)两次较浅的质子注入形成高电阻区域实现对阵列中单元器件间的隔离,另一方面通过再次的两次较深度的可以达到有源区上表面的质子注入形成高电阻区域实现对单元器件注入电流的限制。由瞬态热传导方程对阵列中单元器件间的热相互作用进行了理论分析。采用四次质子注入工艺实现了2×2、3×3简单的二维GaAs/A lGaAs量子阱VCSEL阵列,并对器件的激射近场、光谱特性及功率等进行了测量。
- 刘文莉钟景昌晏长岭
- 关键词：垂直腔面发射激光器质子注入
- ZnO/GaN异质结发光二极管的研究进展
- 2018年
- ZnO材料作为六方纤锌矿结构的直接带隙半导体材料,以其3.37eV的禁带宽度,60meV的室温激子束缚能而被广泛用于短波长的发光以及探测器件中。在第三代半导体材料中,相比GaN材料,ZnO展现出较为突出的优点,如高光学增益,高辐射硬度,简便的制备方法。但是ZnO基光电器件仍存在p型制备困难,高结晶质量ZnO难以制备,高结晶质量的p-GaN是迄今为止与ZnO晶格匹配度最高的材料,从而开展了关于ZnO/GaN异质结的大量科学研究。本文对ZnO/GaN异质结发光方面的进展进行了总结,通过分析其载流子传输的机制,对这些研究中存在的困难加以剖析。
- 王颜彬方铉王登魁唐吉龙房丹王晓华魏志鹏
- 关键词：氧化锌异质结发光二极管氮化镓载流子
- 半球结构亚波长光栅抗反射性质的研究被引量：2
- 2005年
- 利用多台阶圆柱结构近似与严格的耦合波理论研究了化学方法制作出来的新型的半球结构的亚波长光栅的光学性质,此光栅制作技术简化了可见光波段光栅的制作工艺.通过计算机模拟与数值计算,证明了半球结构亚波长光栅具有良好的抗反射性能.给出了两种光栅设计方案.第1种方案下,光栅能够达到3.4416×10-7的低反射率,适用波段为0.46～0.7 μm,入射角变化范围为±12°;第2种方案下,光栅的适用范围较广,适用波段为整个可见光波段,入射角变化范围为±23°,所能达到的最低反射率为3.112×10-4.
- 任智斌姜会林刘国军孙强
- 关键词：亚波长光栅抗反射光学性质化学方法入射角耦合波
