您的位置： 专家智库 > >

北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市嵌入式技术重点实验室

作品数：1 被引量：0H指数：0
发文基金：北京市教委资助项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

相关机构

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇抑制比
  • 1篇温度系数
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇工作温度
  • 1篇工作温度范围
  • 1篇CMOS带隙
  • 1篇CMOS带隙...
  • 1篇CMOS带隙...

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇方穗明
  • 1篇王占仓
  • 1篇高风

传媒

  • 1篇北京工业大学...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
1．8V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源
2007年
通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5～1.8V电压下正常工作,功耗小于0.5 mW,输出电压为1.25V,温度系数低于1.8×10^(-5)/℃,且低频下PSRR的值可以达到-110 dB.
方穗明王占仓高风
关键词：带隙基准电压源工作温度范围电源抑制比温度系数
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0