天津大学电子信息工程学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室
- 作品数：7 被引量：35H指数：2
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- BNN对BZN系统结构和介电性能的影响被引量：1
- 2005年
- 研究了B a(N i1/3N b2/3)O3(BNN)对B a(Zn1/3N b2/3)O3(BZN)系统结构和介电性能的影响。系统的主晶相为立方钙钛矿结构的BZNN,并有少量第二相如B a5N b4O15,B aN b2O6等。实验表明,引入适量的BNN可以调整BZN的温度系数,且能有效改善其介电性能,当BNN摩尔分数为0.7时,于1 450°C,1 500°C烧结时性能最好。系统在较高温度下(1 550°C)烧结时形成富N b液相区。
- 李媛吴顺华石锋王国庆杨浩
- 关键词：介电性能液相烧结
- Bi_2O_3添加剂对Ag_2O-Nb_2O_5-Ta_2O_5介电性能的影响
- 2004年
- 以Bi2O3为添加剂,研究其不同质量比对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5(ANT)系统介电性能的影响。用XRD衍射和SEM扫描作为技术手段,研究其不同质量比对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5系统微观结构的影响。
- 于韶洁吴霞宛陈长庆李玲霞王洪儒张志萍
- 关键词：介电性能BI2O3
- 添加Co_2O_3对微波低介电常数陶瓷机械品质因数的影响被引量：5
- 2003年
- 研究了添加不同质量分数的Co2O3对Mg2TiO4-Mg2SiO4基微波低介瓷料微观结构及介电性能的影响,通过XRD,SEM分析,发现Co2O3在瓷料中起助溶作用,有效降低了瓷料的烧结温度,使瓷体致密化,同时降低了损耗即提高了机械品质因数Q。加入的Co2O3分解生成的Co2+置换主晶相Mg2TiO4中的Mg2+形成了固溶体(Mg,Co)2TiO4。当添加质量分数为2.4％的Co2O3时获得介电性能较好的瓷料。
- 林曼红吴霞宛李玲霞余昊明
- 关键词：镁橄榄石微波介电常数机械品质因数
- (Ba_(1-x)Sr_x)(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3微波陶瓷介电性能研究被引量：2
- 2004年
- Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BMT)陶瓷是A(B′1/3B″2/3)O3(A=Ba,Sr;B′=Zn,Mg;B″=Nb,Ta)型复合钙钛矿化合物中的一种,A位由Sr离子取代Ba离子,形成(Ba1-xSrx)(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BSMT)固溶体型化合物,也具有复合钙钛矿结构。Sr含量x≥0.6时发生相转变,形成一种新的低温相,这是由于氧八面体畸变造成的。这种低温相结构与BMT六方晶系结构相比具有较低的对称性。低温相的形成,可显著降低BSMT陶瓷的烧结温度,在1500℃即可烧结致密(BMT为1600℃)。BSMT的微观结构和介电性能(如介电常数ε和介电常数温度系数αε)的变化也与此相转变有关。
- 刘丹丹吴顺华王伟
- 关键词：介电性能
- (Zn_(1-x)Mg_x)TiO_3微波陶瓷系统介电性能的研究被引量：23
- 2004年
- 对 (Zn1-xMgx)TiO3 系统的微观结构和介电性能进行了研究。通过添加一定量的MgO稳定ZnTiO3 六方钛铁矿结构 ,有效抑制了ZnTiO3 分解为Zn2 TiO4 和TiO2 。同时 ,通过调整x值 (x =0 .1～ 0 .4) ,可以获得介电性能优良的微波瓷料。当x=0 .3～ 0 .3 5时 ,在 10 6 0℃烧结 ,其品质因数Q0 >2 0 0 0 0 ( 6 .5GHz) ,谐振频率温度系数τf≈ + 2× 10 - 6 /℃ ,介电常数ε =18～ 2 2。通过研究发现热处理可以改变系统微观形貌 ,其品质因数Q0 与热处理温度关系密切 ,当保温时间均为 2h时 ,随着热处理温度的升高 ,Q0 从 2 3 83 3 .93相应升高到 475 84.0 0。
- 王玉梅李玲霞吴霞宛林曼红于立
- 关键词：微波陶瓷钛酸锌介电性能
- 两相复合介质内部电场及宏观介电常数的三维模拟被引量：2
- 2004年
- 建立三维模型,用蒙特卡洛有限元法对两相复合介质的内部电场分布进行模拟,并由此计算出介质的宏观介电常数εm.发现由三维模型计算出的低介相中的电场能量占总能量的比例高于二维模型.三维模型符合实际复合介质中微粒间并联程度大于串联程度的事实,因此由三维模型得出的电场分布和εm值比二维模型更加精确.得出了新的两相复合介质宏观介电常数预测公式:,其中α=(V12+20V1V2+5V22)/11,V1+V2=1,ε1<ε2.该公式与若干文献中的实验结果相吻合.
- 王国庆吴顺华赵玉双张志萍
- 关键词：复合介质蒙特卡洛法有限元法
- 添加Na^+对ANT系统介电性能的影响被引量：2
- 2004年
- Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可以在1150℃以下进行中温烧结。在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位A+离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下降,即八面体空隙的体积将减小,从而抑制了Nb5+的松弛极化,有效地降低了ANT系统的损耗因子,使系统的介电性能达到:ε>500,tg δ≤5×10-4,容量温度系数αc=+12ppm/℃,ρv>1012Ωcm。
- 李玲霞郭炜吴霞宛王洪儒张志萍余昊明
- 关键词：ANT介电损耗
