西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
- 作品数：551 被引量：1,969H指数：17
- 相关作者：任红霞彭军史保华顾瑛韩晓亮更多>>
- 相关机构：西安交通大学电子与信息工程学院中国科学院西安光学精密机械研究所西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 基于UPSCodeⅡ协议的UPS监控终端设计
- 2004年
- UPS广泛应用于通讯设施、工业现场等领域用以保护设备安全运转。该文使用嵌入式处理器ATMega128 并结合 UPSCodeII 通讯协议设计了一种智能型、廉价的监控终端设备并成功应用在多种 UPS 系统中,极大地提高了配电中心的事故预警和故障响应能力。
- 吴勇张艳红
- 关键词：UPS监控终端嵌入式系统开发
- 增强型4H-SiC埋沟MOSFET的工作机理
- 2004年
- 本文对一种新型增强型4H-SiC埋沟MOSFET结构的工作机理进行了研究。通过对不同偏压下电荷分 布和电势分布的分析,分别总结了线性区和饱和区所包含的工作模式。
- 赵艳英杨晓菲
- 关键词：4H-SICMOSFET增强型电荷分布电势分布
- 多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析被引量：7
- 2005年
- 在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试 ,得到了库仑阻塞特性 .并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应 ,观察到较大的库仑阈值电压 .对试验数据进行了分析 ,阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果 .
- 郭荣辉赵正平郝跃刘玉贵武一宾吕苗
- 关键词：量子点库仑阻塞
- 锂离子电池管理芯片部分功能电路的设计被引量：2
- 2003年
- 本文介绍了锂电池保护电路设计的一般原理,并给出了设计实例,重点描叙了本芯片设计中部分功能电路的实现方法。
- 钟国华吴玉广
- 关键词：锂离子电池功能电路保护电路
- 三维CMOS集成电路技术研究被引量：5
- 2004年
- 论述了三维集成电路(3D IC )的发展概况,介绍了近几年国外发展的各种三维集成电路技术,主要包括再结晶技术、埋层结构技术、选择性外延过生长技术和键合技术。并基于 SiGe 材料特性,提出了一种新型的 Si-SiGe 三维 CMOS 结构,即将第一层器件(Si nMOS)做在 SOI(Si on insulator)材料上,接着利用 SiO2/SiO2低温直接键合的方法形成第二层器件的有源层,然后做第二层器件(SiGe pMOS),最终形成完整的三维 CMOS结构。与目前所报道的 Si 基三维集成电路相比,该电路特性明显提高。
- 朱国良张鹤鸣胡辉勇李发宁舒斌
- 关键词：SI/SIGECMOS低温键合
- SiC薄膜高温压力传感器被引量：16
- 2001年
- SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。
- 朱作云李跃进杨银堂柴常春贾护军韩小亮王文襄刘秀娥王麦广
- 关键词：压力传感器碳化硅
- NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响被引量：4
- 2003年
- 随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题.首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响,这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应;然后给出了这种混合效应的解释.最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法.
- 韩晓亮郝跃
- 关键词：热载流子注入PMOSFETNBTIHCI可靠性
- Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤被引量：2
- 2003年
- 从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异.在抗总剂量电离辐射能量上,双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构.同时,对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析,发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态,位于中带以上约80meV的位置,该类界面态随辐照剂量的增加最明显.
- 范隆郝跃余学峰
- 关键词：氧化物电荷界面态MOS电容SI/SIO2
- 用于片上网络的高速低功耗多轨协议异步通信通道被引量：3
- 2009年
- 针对传统片上网络中的通信通道功耗大、吞吐量低的缺点,提出一种用于片上网络的高速低功耗多轨协议异步通信通道,其具有检测完成自恢复的功能.每一级通道单元通过自动检测输出端的信号控制电路正常工作,加入门限门使整个通道单元延时不敏感,低延迟传输模块使前向传输延迟减少为1.5倍门延迟,1/4码的编码方式使电路功耗大大降低.在不同工艺模型和不同温度下对电路的性能和功耗进行仿真测试,结果表明,该通道单元最快可以在2.64 GHz的频率下工作,平均动态功耗为1.252 mW,可以满足高速低功耗的片上网络应用.
- 管旭光周端杨银堂朱樟明
- 关键词：全局异步局部同步高速低功耗片上网络
- 蓝宝石复合衬底上生长的碳化硅薄膜的结构分析
- 在蓝宝石衬底上预淀积一层缓冲层,在其上用APCVD法外延生长SiC薄膜。对生长的薄膜进行了四晶衍射分析和PL谱分析,结果表明以蓝宝石C面上AIN为复合衬底生长的薄膜为6H-SiC,其带隙约为3.0eV。
- 张永华彭军
- 关键词：碳化硅复合衬底X射线衍射光致发光
- 文献传递
