河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所
- 作品数：139 被引量：293H指数：10
- 相关作者：徐岳生张建峰吕海涛王敏花刘晓平更多>>
- 相关机构：天津大学电子信息工程学院深圳大学光电子学研究所南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- GaN薄膜材料TEM样品的制备
- 2008年
- 研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面TEM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(TEM)分析用的"三明治"半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了有关半导体GaN材料横截面的薄区图像,加以分析整理从而寻求到了一种透射电镜截面样品的最佳制备工艺。
- 陈雷英陈贵锋赵勇明白云娜马晓薇李养贤
- 关键词：氮化镓透射电子显微镜
- Si基外延GaN中位错的湿法化学腐蚀
- 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原子力显微镜...
- 赵丽伟郭宝平刘彩池郝秋艳滕晓云朱军山孙世龙王海云徐岳生冯玉春
- 关键词：GAN湿法腐蚀原子力显微镜
- 文献传递
- 金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究被引量：1
- 2006年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷。受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡。生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面。用m(KOH)∶m(H2O)=1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现。
- 赵丽伟滕晓云郝秋艳朱军山张帷刘彩池
- 关键词：GAN湿法化学腐蚀
- 热处理对铸造多晶硅缺陷形貌的影响
- 采用扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜(OM)等分析方法，研究了热处理前后铸造多晶硅片的缺陷形貌。实验结果表明：原生铸造多晶硅中存在着大量的位错和晶界。单步、两步热处理对硅片表面位错形貌有很大的影响。低温退火时，位错尺...
- 陈玉武郝秋艳赵建国吴丹王勇刘彩池
- 关键词：产品质量
- 高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响被引量：3
- 2005年
- 对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布,进而影响了原生微缺陷的形成及热行为.
- 郝秋艳刘彩池孙卫忠张建强孙世龙赵丽伟张建峰周旗钢王敬
- 关键词：硅单晶微缺陷掺锑
- ULSI用CZ硅单晶中的空洞型原生缺陷及其控制
- 2005年
- 详细阐述了COP、 LSTD 和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法。研究表明,利用快速退火消除空洞型原生缺陷, 是一种简单而有效的方法。
- 乔治候哲哲刘彩池
- 关键词：超大规模集成电路直拉硅单晶快速退火
- 大直径直拉硅单晶炉热场的改造及数值模拟被引量：13
- 2000年
- 为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入 ,对常规的 4 0 6mm(16英寸 )热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统 ,使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过对热场的数值模拟计算 ,分析了热场的温度分布 ,发现熔体的纵向温度梯度下降 ,熔体热对流减小 ,硅单晶中氧含量降低。
- 任丙彦刘彩池张志成郝秋艳
- 关键词：加热器热对流数值模拟
- 氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究被引量：2
- 2007年
- 目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等。各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术。氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一。本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延原理,分析了HVPE制备自支撑(FS)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展。
- 陈洪建张维连陈贵峰李养贤
- 快中子辐照直拉硅中氧的存在状态与转化
- 对间隙氧含量高达10<'18>atoms/cm<'-3>的直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照,使用傅立叶红外变换红外技术(FTIR)和正电子湮没技术(PAT)对样品进行了测试.结果表明,快中子辐照可以降低硅中的间隙氧含...
- 刘铁驹潘梦霄马巧云杨帅黄千驷刘彩池李养贤李翔沈浩平胡元庆李永章牛胜利李洪涛
- 关键词：快中子辐照直拉硅正电子湮没技术
- 文献传递
- 大直径FZSi中的微缺陷研究
- 2002年
- 经过化学—机械抛光后 ,用常规的检验旋涡缺陷的方法没有观察到旋涡缺陷的FZSi片 ,用高温热氧化法有时则可以观察到明显的旋涡状分布的条纹图形。使用FTIR、XPS、SEM能谱分析等手段的测量结果表明 ,这种旋涡状分布的图形与晶体中的掺杂剂 (磷、硼 )和杂质氧、碳以及重金属杂质没有明显的依赖关系 ,它是硅中点缺陷在晶体径向截面上呈不均匀条纹状分布的结果。本文对大直径FZSi中的旋涡缺陷的形成机理和消除方法进行了初步的探讨。
- 张维连赵红生孙军生张恩怀陈洪建高树良刘涛胡元庆李颖辉郭丽华
- 关键词：热对流点缺陷单晶微缺陷
