南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所
- 作品数：448 被引量：1,143H指数：15
- 相关作者：王庆章朱锋张力王宗畔赵慧旭更多>>
- 相关机构：天津大学精密仪器与光电子工程学院光电信息技术科学教育部重点实验室天津大学精密仪器与光电子工程学院河北工业大学信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- 铁镍氧化物催化阳极的研究
- 铁镍氧化物作为太阳电池光电化学制氢的阳极催化膜,在碱性溶液中具有较好的析氧活性和耐腐蚀性。本文报道了采用对靶磁控溅射法制备的铁镍氧化物其光电特性和结构与氧氩比之间的关系:当氧气含量在20%—1%的范围内改变时,获得材料的...
- 宋红耿新华王文静孙建周作祥
- 关键词：阳极
- 镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响被引量：10
- 2006年
- 采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制C IGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使C IGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的C IGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4%。
- 李伟孙云刘伟李凤岩周琳
- 关键词：量子效率
- 提高微晶硅薄膜太阳电池效率的研究被引量：13
- 2006年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析.
- 张晓丹赵颖高艳涛陈飞朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：气体流量
- VHF-PECVD辉光功率对a-Si:H材料晶化率的影响
- 通常采用氢稀释方法调节非晶硅薄膜的晶化率.本文针对用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法生长非晶硅薄膜材料中,辉光功率对a-Si:H材料的晶化率的影响进行了研究.我们发现在一定氢稀释下非晶硅薄膜材料晶...
- 耿新华麦耀华黄维海孙建侯国付薛俊明任慧志张的坤
- 关键词：晶化率光敏性化学气相沉积非晶硅薄膜
- 文献传递
- W-Ti共掺杂ZnO靶材制造及其特性研究
- 采用常压烧结方法制备高致密度低电阻率的W-Ti 共掺杂ZnO 陶瓷靶材（WTZO）并研究了其相关特性;通过研究烧结温度（~800℃-1350℃）对WTZO 靶材微观结构和电学特性的影响，优化获得了最佳烧结曲线。所有实验靶...
- 陈新亮乔薇陈雪莲张德坤魏长春张晓丹赵颖
- 关键词：烧结温度方块电阻电学特性纤锌矿结构
- 锐钛矿相TiO_2纳米管的制备及其染料敏化太阳电池被引量：14
- 2008年
- 以商用金红石相TiO2粉末为原料,通过在碱性溶液中150℃水热48 h的方法合成TiO2纳米管.采用SEM,TEM,XRD分析手段对TiO2纳米管的形貌和结构演变进行了表征.制成的TiO2纳米管与TritonX-100,乙酰丙酮混合后,通过丝网印刷的方法涂敷到ITO导电玻璃衬底上,并且在450℃下烧结30 min后得到可应用于染料敏化太阳电池的多孔光阳极.将此光阳极浸泡于N719染料敏化后,与镀铂对电极组装电池,两者之间灌入液态电解质,电池的有效面积为0.28 cm2.在标准氙灯模拟器下(AM1.5,100 mW/cm2)测试了电池的J-V特性,得到2.17%的光电转换效率.
- 张苑赵颖蔡宁熊绍珍
- 关键词：TIO2纳米管染料敏化太阳电池水热法
- 高速沉积微晶硅本征层的纵向结构的改善
- 与低速沉积的微晶硅薄膜相比，高速沉积的微晶硅薄膜具有非晶孵化层厚、纵向结构均匀性差等特点,导致电池的填充因子和短路电流密度降低,使得电池的效率不太理想[1]。本文采用传统方法和后通硅烷法高速沉积了两组不同厚度的本征硅薄膜...
- 关键词：原子力显微镜
- 文献传递网络资源链接
- 溅射制备二氧化钛电子传输层及其在平面型钙钛矿太阳电池中的应用
- 平面型有机/无机混合金属卤化物钙钛矿太阳电池由于其制备工艺简单及开路电压高等特点引起了广泛的关注[1]。溅射法制备致密二氧化钛（TiO2）电子传输层的平面型钙钛矿太阳电池具有较高光电转换效率[2]。溅射的TiO2薄膜具有...
- 范琳梁俊辉邢宇姚鑫魏长春张德坤王广才赵颖张晓丹
- 关键词：平面型溅射
- 文献传递
- 微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究被引量：9
- 2004年
- 本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就大 ,对应着孵化层的厚度小 ;AFM测试结果明显的给出
- 张晓丹赵颖朱锋魏长春吴春亚高艳涛高艳涛孙建侯国付耿新华
- 关键词：微晶硅薄膜VHF-PECVDAFM不均匀性RAMAN光谱晶化
- 采用VHF-PECVD 技术制备大面积PPPP 型微晶硅材料
- 本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备高电导率、高晶化率的P型大面积微晶硅材料。研究了硼掺杂比、硅烷浓度和辉光功率对P型微晶硅材料微结构和电学特性的影响。实验结果表明，P型微晶硅材料微结构和...
- 关键词：太阳电池不均匀性
- 文献传递网络资源链接
