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松下电子株式会社

作品数:4 被引量:0H指数:0
相关机构:塞姆特里克斯公司更多>>

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 3篇电路
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇集成电路
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 1篇电极
  • 1篇氧化硅
  • 1篇印记
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电电容器
  • 1篇退火
  • 1篇前体
  • 1篇温度特性
  • 1篇雾气
  • 1篇接触孔
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘体
  • 1篇互连
  • 1篇极化

机构

  • 4篇松下电子株式...
  • 2篇塞姆特里克斯...

年份

  • 4篇1999
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
用于制作集成电路中的二氧化硅和硅玻璃层的方法和装置
制备一种包括在二甲苯溶剂中的硅的前体液体(64),衬底(5,71)放置到真空沉淀室(2)中,前体液体被雾化,并在将沉淀室维持在室温时将雾气(66)流入沉淀室中,以在衬底上沉淀前体液体层。此液体被干燥、烘干、以及退火,以在...
拉里·D·麦克米伦迈克尔·C·斯科特阿劳约·卡洛斯·A·帕兹德大槻达男林慎一郎
文献传递
半导体器件
本发明的半导体器件包括一个比较器,该比较器包括有向其提供检测电压的检测端电路和向其提供参考电压的参考端电路。半导体器件内设置获取检测电压的检测元件,半导体器件外设置获取参考电压的参考元件。检测端电路和参考端电路中至少一个...
八谷佳明山西雄司森吉弘
文献传递
通过采用光滑底电极结构具有改进的存储保持的薄膜铁电电容器
一种铁电薄膜电容器(400)具有光滑的电极(412、420),随着铁电电容器老化允许相对较强的极化、较少疲劳及较少印记。光滑电极表面(414、428)是用小心地控制的干燥、轻烘烤及退火条件生成的。
林慎一郎大槻逹男
文献传递
半导体器件及其制作方法
一种半导体器件包括:电容器,设置在其上带有一集成电路的支持基底上,含有一下电极、一介电膜和一上电极;第一层间绝缘膜,覆盖住电容器;第一互连极,有选择地设置在第一层间绝缘膜上,通过第一接触孔与集成电路和电容器电连接;第二层...
长野能久久都内知惠十代勇治上本康裕藤井英治
文献传递
共1页<1>
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