塞姆特里克斯公司
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- 介质电容器的底层电极结构及其制造方法
- 一种集成电路电容器(20)包括底层电极结构(24),该结构具有粘结金属部分(34)、金属部分(36)以及第二贵金属层(40)。制造方法包括在沉积第二贵金属层(40)使退火粘结金属部分(34)和贵金属部分(36)退火,以形...
- 吾妻正道卡洛斯·帕斯·德·阿劳约约瑟夫·库奇阿罗
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- 带有掺氧保护层的铁电集成电路及其制备方法
- 在铁电集成电路的保护层(130,135,160)中包含有少量的氧,以便在制备过程中保护铁电氧化物材料免于氢降解。通常,保护层(130,135)为形成覆盖铁电氧化物材料薄膜(124)的氢扩散阻挡层。在一方法中,在沉积氢扩散...
- 约瑟夫·D·库奇奥古谷晃卡洛斯·A·帕斯德阿劳科宫坂洋一
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- 高介电常数的金属氧化物薄膜
- 一种高介电常数绝缘体,包含选自以下的金属氧化物薄膜:钨－青铜－型氧化物、烧绿石－型氧化物、以及Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>与选自以下的氧化物的组合:钙钛矿－型氧化物和烧绿石－型氧化物。一种实施方...
- 林信一郎维克拉姆·乔希纳拉亚恩·索拉亚潘约瑟夫·D·库奇阿罗卡洛斯·A·帕斯德阿劳约
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- 带覆盖层的铁电装置及其制造方法
- 一种铁电装置(100、200)包括一个铁电层(112)和一个电极(116、110)。铁电材料是由一种钙钛矿或一种分层超晶格材料组成。在所述铁电层与所述电极之间沉积一种超晶格发生器金属氧化物作为覆盖层(114、204)以提...
- 林慎一郎大槻建男卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
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- 具有铁电薄膜的铁电存储器及其制造方法
- 一种涂层，将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122)，在氧环境中不超过300℃的温度下，在热板上烘焙5分钟，然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时，以便形成厚度不超过90nm的层状超...
- 纳拉杨·索拉亚鹏维克拉姆·乔希卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约拉里·D·麦克米伦林慎一郎大槻达男
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- 在用于等离子体显示面板的玻璃衬底上形成氧化镁膜的方法
- 提出一种在等离子体显示器(100)上制造氧化镁层(122)的新方法(P200)。将羧化镁液态前体溶液加在显示面板(102)上,进行干燥退火处理,形成一层具有很好的光电性能的固体氧化镁层。
- 加纳刚太卡洛斯·A·帕兹德阿罗有田浩二迈克尔·C·斯科特拉里·D·麦克米伦林慎一郎
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- 具有自对准的氢阻挡层的集成电路及其制做方法
- 在一集成电路中,各自包括一底电极(122)、一金属氧化物薄膜(124)、一顶电极(126)、一下阻挡—粘附层(128)、一氢阻挡层(130)和一上阻挡—粘附层(132)被构型以形成覆盖有一自对准氢阻挡层(130)的一存储...
- 约瑟夫·D·库奇奥古谷晃卡洛斯·A·帕斯·德阿劳科宫坂洋一
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- 铁电存储元件及制造具有超薄顶层的层状超晶格材料的方法
- 本发明是一种制造具有超薄顶层的层状超晶格材料的方法及一种铁电存储元件在集成电路存储元件的制造中，锶铋钽酸盐或锶铋钽铌酸盐薄膜层(50)沉积在衬底(28、49)上面，并在沉积超薄铋钽酸盐层(51)之前对锶铋钽酸盐层(50)...
- 柄泽润一维克伦·荷西
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- 氢损坏的铁电薄膜的惰性气体恢复性退火
- 一种非易失性集成电路存储器，包含铁电分层超点阵材料薄膜(100，200，300，601)。进行惰性气体恢复性退火，以抵消由氢引起的铁电性能的降低。惰性气体恢复性退火处理在惰性气体气氛中进行，其温度范围为300℃～1000...
- 维克拉姆·乔希纳拉杨·索拉亚鹏瓦尔特·哈特纳京特·申德勒
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- 长久保持记忆力的低印记铁电材料及其液体前体和制作方法
- 一种液态前体，用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313)，其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时，这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格...
- 科吉·阿里塔林慎一郎约瑟夫·D·库奇阿罗卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
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