您的位置： 专家智库 > >

北京华进创威电子有限公司

作品数：124 被引量：1H指数：1
相关机构：中国科学院中国电子科技集团公司北京天科合达半导体股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 121篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇标准
  • 1篇科技成果

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 44篇单晶
  • 24篇坩埚
  • 23篇氮化
  • 23篇碳化硅
  • 22篇氮化铝
  • 19篇石墨
  • 19篇碳化硅单晶
  • 19篇硅单晶
  • 16篇单晶生长
  • 16篇晶体
  • 14篇沟道
  • 13篇籽晶
  • 10篇晶片
  • 10篇二维电子
  • 10篇二维电子气
  • 10篇衬底
  • 9篇单晶片
  • 9篇氮化镓
  • 9篇石墨烯
  • 8篇石墨坩埚

机构

  • 124篇北京华进创威...
  • 14篇中国科学院
  • 1篇山东大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇北京聚睿众邦...
  • 1篇北京天科合达...
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇新疆天科合达...
  • 1篇河北同光晶体...
  • 1篇北京天科合达...

作者

  • 4篇李巍
  • 2篇肖红领
  • 1篇赵有文
  • 1篇董志远
  • 1篇杨俊
  • 1篇段满龙
  • 1篇刘京明
  • 1篇陶东言
  • 1篇刘彤

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 3篇2023
  • 5篇2021
  • 9篇2020
  • 19篇2018
  • 14篇2017
  • 32篇2016
  • 15篇2015
  • 10篇2014
  • 5篇2013
  • 8篇2012
  • 4篇2011
共 124 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种垂直型氮化镓功率开关器件及其制备方法
本申请公开了一种垂直型氮化镓功率开关器件及其制备方法，该开关器件包括：衬底a；N型重掺杂氮化镓层b；电流窗口层c；非故意掺杂高迁移率氮化镓层d；氮化铝插入层e；非有意掺杂铝镓氮势垒层f；欧姆接触源极Source；欧姆接触...
王晓亮肖红领李百泉王权冯春殷海波姜丽娟邱爱芹崔磊介芳
文献传递
一种烧接籽晶压接装置
本实用新型公开了一种烧接籽晶压接装置，其特征在于，该装置包括压头，所述压头的下端设置有凹形容腔，该凹形容腔内设置有气囊，压头上端设置有与凹形容腔同心的定位柱，定位柱上套有若干配重压块，所述配重压块依靠重力向下顶压压头，使...
韩金波李百泉黄伟陈源邵亚楠
文献传递
一种GaSb单晶衬底表面化学钝化的方法
本发明一种GaSb单晶衬底表面化学钝化的方法,该方法包括如下步骤：步骤1）将抛光后的GaSb单晶片进行表面清洗；步骤2）将GaSb单晶片放入盛有37%体积比的HCl溶液中，腐蚀清洗3‑5分钟；步骤3）将GaSb单晶片放入...
刘京明刘彤董志远赵有文
文献传递
一种低应力氮化铝晶体的生长方法
本发明公开了一种低应力氮化铝晶体的生长方法，该生长方法通过在生长过程中通过变温变压的方式，实现AlN晶体快速二维模式生长，降低了氮化铝单晶的应力。得到晶体生长面不包含裂纹且含有自然生长台阶的氮化铝体单晶。本申请采用控温工...
杨丽雯程章勇刘欣宇
文献传递
一种氮化铝衬底制备及扩径生长方法
本发明公开了一种氮化铝衬底制备及扩径生长方法，该方法方法主要包括有：元晶制备、元晶粘结、元晶组固化、衬底epi‑ready级加工、衬底高温预处理以及模板生长等步骤。本申请的方法能够克服氮化铝单晶生长过程中衬底匮乏、衬底质...
程章勇杨丽雯刘欣宇杨雷雷
文献传递
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
本发明公开了一种氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在所述衬底上，该成核层的厚度为0.01-0.60 μm；一缓冲层，该缓冲层制作在所述成核层上面；一氮化铟沟道层，该氮化铟...
王晓亮李巍李百泉肖红领殷海波冯春姜丽娟邱爱芹王翠梅介芳
文献传递
一种GaN器件原位生长石墨烯掩埋电极结构
本实用新型公开了一种GaN器件原位生长石墨烯掩埋电极结构，所述电极结构包括衬底和依次向上生长的AlN成核层、GaN缓冲层和器件外延构造层；其中，所述衬底和所述AlN成核层之间从下至上还依次生成有AlN隔离层、金属催化层和...
袁俊李百泉倪炜江张敬伟牛喜平李明山卢小东
一种用于碳化硅单晶取锭的水平式外圆锯装置
本实用新型公开了一种用于碳化硅单晶取锭的水平式外圆锯装置,包括:操作平台,操作平台的上表面水平,带有待取碳化硅单晶锭的石墨托自由放置在操作平台的上表面,操作平台上方设置有水平切割的电圆锯,电圆锯的驱动轴穿过操作平台与动力...
靳丽婕韩金波张云伟李龙远马晓亮张雪
文献传递
一种碳化硅单晶生长用复合保温结构
本发明公开了一种碳化硅单晶生长用复合保温结构，该复合保温结构包覆在碳化硅单晶生长的石墨坩埚外侧，由内层的固态石墨毡和外层的软性石墨毡复合而成。本发明的不同之处在于碳化硅晶体生长时保温结构采用内层用固态石墨毡，外层用软性石...
李龙远
文献传递
一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法
本发明公开了一种石墨烯掩埋散热层和纵向沟道GaN MISFET元胞结构及制备方法，该元胞结构从下至上包括衬底、AlN隔离层、石墨烯掩埋散热层、AlN成核层，GaN缓冲层，n型重掺杂GaN层，n型GaN层，p型GaN电子阻...
袁俊黄兴倪炜江张敬伟牛喜平李明山徐妙玲窦娟娟胡羽中
全选 清除 导出
共13页<12345678910>
聚类工具0