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新疆天科合达蓝光半导体有限公司

作品数：72 被引量：8H指数：2
相关机构：北京天科合达半导体股份有限公司江苏天科合达半导体有限公司北京天科合达新材料有限公司更多>>
发文基金：北京市科技新星计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 65篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇标准
  • 1篇科技成果

领域

  • 19篇电子电信
  • 8篇化学工程
  • 6篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 45篇碳化硅
  • 38篇籽晶
  • 35篇单晶
  • 26篇碳化硅单晶
  • 26篇硅单晶
  • 20篇晶体
  • 16篇位错
  • 14篇晶体生长
  • 13篇晶片
  • 12篇坩埚
  • 11篇包裹物
  • 8篇单晶生长
  • 8篇升华
  • 8篇高纯
  • 5篇单晶炉
  • 5篇单晶片
  • 5篇籽晶生长
  • 5篇晶片加工
  • 4篇原子
  • 4篇石墨坩埚

机构

  • 72篇新疆天科合达...
  • 57篇北京天科合达...
  • 33篇江苏天科合达...
  • 21篇北京天科合达...
  • 7篇中国科学院
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇北京聚睿众邦...
  • 1篇新疆天富能源...
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇河北同光晶体...
  • 1篇北京华进创威...

作者

  • 4篇彭同华
  • 2篇李龙远
  • 1篇袁文霞

传媒

  • 3篇石河子科技
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 3篇2024
  • 7篇2023
  • 13篇2022
  • 12篇2021
  • 5篇2020
  • 8篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 7篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 72 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种从碳化硅晶体打磨废料中提取金刚石磨料的方法
本发明公开了一种从碳化硅晶体打磨废料中提取金刚石磨料的方法，包括：将碳化硅晶体打磨废料加入浓度为10-20%的硫酸溶液中，至少浸泡24h，使碳化硅晶体打磨废料和硫酸溶液反应完全后静置沉淀；将静置沉淀后的上清液倒出后，使用...
李坚陈蛟陈斌邹宇孟宪府
一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶
本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉...
娄艳芳刘春俊杨帆姜克勇邹宇赵宁王波彭同华杨建
一种位错检测系统
本申请公开了一种位错检测系统，所述位错检测系统采用对焦模块按照预设路径向待测样品出射探测光线，并接收所述待测样品反射的所述探测光线，并根据接收的所述探测光线形成探测图像，然后利用数据处理模块基于图像处理技术对所述待测图像...
娄艳芳刘春俊彭同华王波赵宁杨建张平邹宇杨帆
一种导电型碳化硅单晶及其制备方法
本发明提供了一种导电型碳化硅单晶，掺杂元素包括氮和原子半径大于硅的原子半径的元素；所述导电型碳化硅单晶的电阻率为0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；所述原子半径大于硅的原子半径的元素的掺杂浓度为氮元素浓度的0.1％到10...
刘春俊雍庆娄艳芳赵宁姚静王波彭同华杨建
一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法
本发明提供了一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法，所述半绝缘型碳化硅晶片的整体范围内，电阻率的相对标准偏差小于70％，电阻率的最小值大于1×10<Sup>6</Sup>Ω·cm。本发明还提供了一种上述技术方案所...
刘春俊姚静赵宁彭同华杨建
DJL-600型碳化硅单晶炉运行维护与故障排除
2016年
介绍了DJL-600型碳化硅单晶炉的基本结构和电气控制系统的工作原理,结合实际工作经验和设备的结构特点阐述了DJL一600型单晶炉的维护和常见故障排除方法。
杜广平
一种高结晶质量碳化硅单晶片及其制备方法
本发明提供了一种碳化硅单晶片，所述碳化硅单晶片的原子面向C面弯曲，Si面原子面的弯曲度大于C面原子面的弯曲度。本发明提供了一种(0001)原子面向C面弯曲，且Si面原子面弯曲度大于C面原子面弯曲度的碳化硅单晶片，以本发明...
娄艳芳刘春俊王光明姚静雍庆赵宁彭同华杨建
文献传递
用于生长SiC晶体的SiC原料的制备方法和制备装置
提供用于生长SiC晶体的SiC原料的制备方法和装置。该方法包括：将SiC粉料装入第一石墨坩埚中，在第一石墨坩埚上倒置安装第二石墨坩埚；将安装好的两个石墨坩埚放入加热装置中，将加热装置抽真空并升温至预设温度；其中，第一石墨...
彭同华刘春俊王波张平邹宇赵宁
文献传递
一种在含氧气氛下生长高质量碳化硅晶体的方法
本发明公开了一种在含氧气氛下生长高质量碳化硅晶体的方法，其包括将装有碳化硅原料、籽晶的石墨坩埚放入SiC晶体生长炉，将含氧的气体如二氧化碳或氧气通过管道直接引入到石墨坩埚，从而生长出高质量碳化硅晶体。相比于常规的气相传输...
刘春俊彭同华王波赵宁
文献传递
一种高质量低缺陷碳化硅单晶、其制备方法及应用
本发明提供了一种高质量低缺陷碳化硅单晶片，且含有氮；碳面中的氮浓度低于硅面中的氮浓度，且氮浓度在晶片厚度方向上，随着距碳面的距离的增大而增加。本发明中的碳化硅单晶晶片能够保证向碳面凸起弯曲。此种向碳面凸起弯曲的结构在晶体...
刘春俊姚静雍庆娄艳芳赵宁王波彭同华杨建
文献传递
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