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江苏天科合达半导体有限公司

作品数：89 被引量：0H指数：0
相关机构：北京天科合达半导体股份有限公司新疆天科合达蓝光半导体有限公司北京天科合达新材料有限公司更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 89篇中文专利

领域

  • 23篇电子电信
  • 11篇化学工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 2篇建筑科学
  • 2篇文化科学

主题

  • 37篇碳化硅
  • 32篇晶片
  • 26篇单晶
  • 25篇籽晶
  • 20篇碳化硅单晶
  • 20篇硅单晶
  • 12篇晶体
  • 10篇位错
  • 8篇晶体生长
  • 7篇抛光
  • 7篇晶片加工
  • 7篇衬底
  • 6篇坩埚
  • 6篇外延片
  • 6篇包裹物
  • 5篇单晶片
  • 5篇石墨
  • 5篇半导体
  • 4篇研磨
  • 4篇研磨液

机构

  • 89篇江苏天科合达...
  • 89篇北京天科合达...
  • 33篇新疆天科合达...
  • 17篇北京天科合达...

年份

  • 15篇2024
  • 23篇2023
  • 18篇2022
  • 24篇2021
  • 8篇2020
  • 1篇2019
共 89 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种晶棒的切割方法以及切割装置
本申请公开了一种晶棒的切割方法以及切割装置，所述切割方法包括：在切割晶棒的过程中，获取切割线相对于所述晶棒的当前切割位置；基于所述切割位置，控制所述切割线的运行速度与所述切割线和所述晶棒的圆心之间的距离为正相关。在所述方...
张文罗奔张雪峰蔡振立郭钰刘春俊彭同华杨建
一种制备大尺寸高纯半绝缘碳化硅单晶的生长方法
本发明提供了一种工作状态下的碳化硅晶体生长炉。本发明还提供了一种制备大尺寸高纯半绝缘碳化硅单晶的生长方法，通过在碳化硅晶体生长前，增加了高温高压大流量冲洗腔体的关键工艺，高压下可有效保护碳化硅籽晶不被破坏，高温下可使吸附...
刘春俊王光明娄艳芳姚静雍庆王波赵宁彭同华杨建
文献传递
一种高质量SiC单晶片及其制备方法
本发明公开了一种高质量SiC单晶片，包括：所述SiC单晶片具有直径不小于100mm的单一晶型；所述SiC单晶片从室温升温到1450℃以上，翘曲度值小于100μm，弯曲度绝对值小于60μm。本发明还提供了一种高质量SiC单...
娄艳芳刘春俊赵宁彭同华杨建
文献传递
碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法
本发明公开一种碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法，坩埚结构包括坩埚主体，设有碳化硅原料腔体和顶部开口；封闭所述顶部开口的坩埚盖，所述坩埚盖底部设置有籽晶；至少布置在碳化硅原料腔体的目标原料位以下的石墨过滤结构...
雍庆娄艳芳刘春俊王光明姚静张宁彭同华杨建
文献传递
一种碳化硅单晶的生长装置
本发明公开了一种碳化硅单晶的生长装置，包括用于装载碳化硅原料的坩埚，还包括设置于所述坩埚内部的导流部。所述坩埚的上平面用于固定籽晶，在所述坩埚完成碳化硅原料的装载后，所述导流部的下端低于所述坩埚中的碳化硅原料上表面，用于...
娄艳芳刘春俊王光明姚静雍庆张雪霞刘强彭同华杨建
一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件
本实用新型公开了一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，包括：晶体边缘石墨件；所述晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽，所述第一槽的槽口位于所述晶体边缘石墨件的侧壁的底部。本方案在晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽；由于相同条件下，...
刘海威魏莹邹宇张平刘春俊彭同华杨建
一种大尺寸晶片加工用抛光液循环装置和方法
本发明公开了一种大尺寸晶片加工用抛光液循环装置和方法，将抛光液混液桶的出液口用于与抛光设备的入液口相连，抛光液混液桶的第一回液口用于与抛光设备的出液口相连；检测装置设置于抛光液混液桶出液口至抛光设备入液口之间，并与控制器...
郭钰刘春俊彭同华杨建
文献传递
一种碳化硅晶片清洗卡塞装置
本实用新型公开了一种碳化硅晶片清洗卡塞装置，包括：清洗卡塞底座、卡塞支撑横梁、卡塞前连接件和卡塞后连接件；所述卡塞支撑横梁用于支撑晶片，所述清洗卡塞底座和若干根所述卡塞支撑横梁分别连接于所述卡塞前连接件和卡塞后连接件之间...
王南南李秀丽陈文邹宇张平彭同华杨建
大尺寸碳化硅外延气体供应装置及供应方法
本发明公开了一种大尺寸碳化硅外延气体供应装置，包括内部具有通气腔的壳体，所述通气腔的中部通过主隔板围合而成有主通路，所述主通路的延伸方向与所述通气腔的延伸方向一致，所述主隔板的外壁与所述通气腔的内壁之间形成供氢气流通的外...
张新河刘春俊娄艳芳郭钰彭同华邹宇张平曾江杨建
一种评估切割机的切割线与轮槽端面夹角的方法
本发明公开了一种评估切割机的切割线与轮槽端面夹角的方法，包括：S1、获取切割线行进距离x，获取切割线在行进行进距离x中的发生旋转角度α’，测量切割线在近轮的离开点至切割线在远轮接触点之间的BC距离l；S2、通过行进距离x...
段鑫眭旭郭钰刘春俊彭勇曾江彭同华杨建周凡
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