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英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

作品数：58 被引量：0H指数：0
相关机构：英飞凌科技股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 58篇中文专利

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 35篇半导体
  • 26篇半导体器件
  • 18篇晶体管
  • 12篇电极
  • 10篇极区
  • 8篇隔离层
  • 7篇电极结构
  • 7篇基极
  • 7篇衬底
  • 6篇栅极
  • 6篇牺牲层
  • 6篇沟槽
  • 5篇电耦合
  • 5篇漂移
  • 5篇主表
  • 5篇掺杂
  • 4篇导电
  • 4篇异质结
  • 4篇异质结双极晶...
  • 4篇源极

机构

  • 58篇英飞凌科技德...
  • 3篇英飞凌科技股...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 6篇2018
  • 13篇2017
  • 9篇2016
  • 8篇2015
  • 12篇2014
共 58 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于制造高速异质结双极晶体管的发射极的方法
本发明涉及用于制造高速异质结双极晶体管的发射极的方法。实施例提供用于制造双极结型晶体管的方法。在第一步骤中提供叠层，叠层包括：半导体衬底，具有沟槽隔离；隔离层，布置在半导体衬底上，其中第一隔离层包括形成发射极窗口的凹槽；...
C.达尔D.A.楚马科夫
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用于梳状驱动MEMS装置的系统和方法
根据实施例，形成MEMS换能器的方法包括在单晶硅层中形成换能器框架，其中形成换能器框架包括邻近腔形成支撑部分并且形成从支撑部分延伸的第一梳齿集合。形成MEMS换能器的方法进一步包括形成从锚定装置到支撑部分的弹性支撑以及在...
S.比泽尔特A.德赫H.弗勒利希T.考奇M.纳瓦茨A.希雷
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包括静电放电保护结构的半导体器件
本发明涉及包括静电放电保护结构的半导体器件。一种半导体器件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体主体。该半导体器件还包括在半导体主体的第一表面上的第一隔离层，以及在第一隔离层上的静电放电保护结构。静电放电保护...
F.希尔勒A.毛德M.施密特J.韦尔斯
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包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置
本发明涉及包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置。一种在半导体本体中的晶体管布置包括具有至少两个晶体管单元的功率晶体管，每个晶体管单元布置在半导体本体的半导体鳍中，以及具有带有至少两个器件单元的电压限制器件。每个器件单...
M.巴特尔斯M.莱姆克R.鲁道夫S.特根R.魏斯
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用于制造双极结型晶体管的方法
本发明公开用于制造双极结型晶体管的方法。实施例提供一种用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括：‑提供包括第一导电类型的埋覆层的半导体衬底；‑在集电极注入区中对半导体衬底进行掺杂，以获取平行于半导体衬底的表面并且从半导...
D.曼格S.特根
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半导体封装及其制造方法
半导体封装及其制造方法。根据本发明的实施例，一种半导体器件包含具有第一侧面和相对的第二侧面的半导体芯片，和设置在半导体芯片的第一侧面上的芯片接触焊盘。介电衬垫设置在半导体芯片上。介电衬垫包含在芯片接触焊盘上的多个开口。互...
F·德切D·梅因霍尔德T·沙夫
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具有场电极的功率晶体管
本发明涉及具有场电极的功率晶体管。公开的是半导体器件和用于产生半导体器件的方法。半导体器件包含至少两个晶体管单元。这些至少两个晶体管单元中的每个包含：半导体本体的半导体鳍中的漏极区、漂移区以及本体区；邻接本体区的源极区；...
M.巴特尔斯R.魏斯
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制造半导体器件的方法
本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底中形成延伸至上面的多个半导体台面使得相邻半导体台面彼此通过基本上为空的沟槽和基本上被相对于半导体台面可选择刻蚀的牺牲层填充的沟槽之一间隔开；形成机械地连接彼此...
F·布劳恩M·黑勒D·凯泽M·莱姆克A·毛德I·莫伊泽尔D·沙莱特K·佐沙格H·施特拉克
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与扩散区域完全自对准的异质结双极晶体管
本发明涉及与扩散区域完全自对准的异质结双极晶体管。实施例提供一种用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括：提供具有沟槽隔离的半导体衬底，其中通过制造沟槽隔离而获得的衬垫被布置在半导体衬底上；在半导体衬底和衬垫上提供隔离...
C.达尔D.A.楚马科夫
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双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法
本发明涉及双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法。根据各种实施例，双极晶体管结构可包括：衬底；在衬底中的集电极区；设置在集电极区之上的基极区，设置在基极区之上的发射极区；横向地电接触基极区的基极端子，其中基极端子包括多...
C.达尔A.蒂尔克D.A.楚马科夫
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