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深圳市深鸿盛电子有限公司

作品数：39 被引量：0H指数：0
相关机构：江苏华兴激光科技有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司深圳市晶导电子有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生更多>>

合作机构

文献类型

  • 38篇专利
  • 1篇标准

领域

  • 12篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇医药卫生

主题

  • 10篇场效应
  • 10篇场效应管
  • 9篇电路
  • 9篇封装
  • 8篇引脚
  • 7篇MOS管
  • 6篇半导体
  • 5篇电路板
  • 5篇散热
  • 5篇基板
  • 5篇封装结构
  • 4篇二极管
  • 4篇存储介质
  • 3篇电极
  • 3篇源极
  • 3篇弯折
  • 3篇绝缘
  • 3篇半导体器件
  • 3篇COOL
  • 2篇弹簧

机构

  • 39篇深圳市深鸿盛...
  • 1篇有色金属技术...
  • 1篇哈尔滨科友半...
  • 1篇江苏芯梦半导...
  • 1篇天通银厦新材...
  • 1篇湖南德智新材...
  • 1篇深圳市晶导电...
  • 1篇浙江金瑞泓科...
  • 1篇江苏华兴激光...

年份

  • 10篇2024
  • 16篇2023
  • 6篇2022
  • 6篇2020
  • 1篇2019
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有触角防护结构的COOLMOS管
本申请涉及场效应管技术领域，具体公开了一种具有触角防护结构的COOLMOS管，包括场效应管主体以及设置在场效应管主体上的触角，场效应管主体和触角的外侧套设有防护盒，以避免空气中的灰尘落在触角上；防护盒内设置有触角夹紧装置...
张西刚
一种碳化硅二极管故障诊断方法及相关装置
本发明涉及碳化硅二极管故障识别的技术领域，公开了一种碳化硅二极管故障诊断方法及相关装置，本发明首先通过各项测试电路对碳化硅二极管进行基础功能的检测，若碳化硅二极管的基础功能符合要求，则重复通过各项测试电路对碳化硅二极管进...
张西刚李杲宇
一种具有防冲击结构的半导体场效应管
本申请涉及场效应管技术领域，具体公开一种具有防冲击结构的半导体场效应管，包括场效应管主体、可升降地设置在场效应管主体上的定位座和设置在场效应管主体上的引脚，场效应管主体上套设有防冲击装置，防冲击装置包括防冲击罩，防冲击罩...
张西刚
半导体晶片表面金属沾污的测定　全反射X射线荧光光谱法
宁永铎孙燕贺东江李素青朱晓彤康森靳慧洁孙韫哲潘金平任殿胜张海英何凌丁雄杰刘薇沈演凤廖周芳赵丽丽张西刚赖辉朋廖家豪
一种半导体器件的测试方法及系统
本发明涉及半导体器件测试的技术领域，公开了一种半导体器件的测试方法及系统，本发明通过对半导体器件的识别，获取半导体器件的晶圆规格和性能参数，从而对半导体器件进行极限性能的第一轮测试和预留性能的第二轮测试，通过测试的结果获...
张西刚李杲宇
一种具有辅助焊接结构的MOSFET
本实用新型公开了一种具有辅助焊接结构的MOSFET，包括：MOSFET和焊脚，所述MOSFET的底部安装有焊脚，所述焊脚的底部侧壁开设有滑槽，所述滑槽的内部嵌合有滑块，所述滑块的内部活动连接有转块，所述转块的一侧螺纹连接...
张西刚李杲宇
一种cool-mos管
本实用新型提供一种cool‑mos管，包括cool‑mos管，所述cool‑mos管的一端安装有对接脚；所述对接脚的一端套接有底套，所述底套的两端固定安装有卡条，所述卡条的表面上开设有滑槽，所述滑槽的内部与锁紧机构连接；...
张西刚李杲宇
功率器件模块封装壳体（SOT-1122S）
1.本外观设计产品的名称：功率器件模块封装壳体（SOT‑1122S）。;2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于封装电子电路。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
张西刚李杲宇
一种半导体分立器件的耐压测试装置
本实用新型涉及半导体分立器件技术领域，且公开了一种半导体分立器件的耐压测试装置，包括底板，所述底板的顶部固定连接有耐压测试装置本体，所述耐压测试装置本体的背面设置有静电排出机构，所述耐压测试装置本体的内部设置有定位连接机...
李杲宇张西刚
一种高散热的半导体场效应管
本实用新型公开了一种高散热的半导体场效应管，包括：场效应管本体，所述场效应管本体底部连接有三组电极，所述三组电极包括栅极、漏极和源极，通过设置有导热鳍片与散热鳍片配合使用，小马达转动带动第一转轴转动，第一转轴转动带动齿轮...
张西刚李杲宇
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