您的位置： 专家智库 > >

康宁克里克菲利浦电子股份有限公司

作品数：25 被引量：0H指数：0
相关机构：IMEC公司英特尔公司荷兰应用自然科学研究组织TNO更多>>

合作机构

文献类型

  • 25篇中文专利

主题

  • 17篇半导体
  • 14篇半导体器件
  • 5篇介质层
  • 4篇无定形
  • 4篇极区
  • 4篇固相外延
  • 4篇掺杂
  • 4篇掺杂剂
  • 3篇源极
  • 3篇气隙
  • 3篇金属硅化物
  • 3篇硅化
  • 3篇硅化物
  • 2篇单晶
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇导体
  • 2篇电绝缘
  • 2篇掩蔽部
  • 2篇衍射

机构

  • 25篇康宁克里克菲...
  • 20篇IMEC公司
  • 1篇英特尔公司
  • 1篇应用科学研究...
  • 1篇松下电器产业...
  • 1篇荷兰应用自然...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 4篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 12篇2005
  • 1篇2004
共 25 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
制造具有硅化电极的半导体器件的方法
本发明涉及一种制造具有半导体基体的器件的方法，该半导体基体包括一个具有一个电介质层和一个第一导体的第一半导体结构以及一个具有一个电介质层和第二导体的第二半导体结构组成，第一导体邻接电介质层的部分具有与第二导体相应部分不同...
R·兰德尔M·J·H·凡达尔J·C·胡克尔
文献传递
制作用于双栅SOI工艺的标记的方法和半导体晶片
在SOI晶片上制作至少一个用于双栅SOI工艺的标记(MX)的方法，该至少一个标记具有在第一方向上的衍射结构，该衍射结构的设置用于其在对准和覆叠系统中使用期间产生在所述第一方向探测的不对称的衍射图形；SOI晶片包括衬底，衬...
J·J·G·P·卢Y·V·波诺马廖夫D·W·莱德勒
文献传递
在双栅极FET中制造自对准源极和漏极接触件的方法
本发明涉及用于在基片(SOI)上形成晶体管结构的方法，该基片包含支持硅层(1)、埋入绝缘层(2)和上硅层(3)，所述上硅层具有上层厚度并包含高掺杂程度，该晶体管结构包含栅极区(G1)，以及源极和漏极区(5)。该方法进一步...
J·J·G·P·卢Y·V·波诺马廖夫
文献传递
在双栅极FET中制造自对准源极和漏极接触件的方法
本发明涉及用于在基片(SOI)上形成晶体管结构的方法，该基片包含支持硅层(1)、埋入绝缘层(2)和上硅层(3)，所述上硅层具有上层厚度并包含高掺杂程度，该晶体管结构包含栅极区(G1)，以及源极和漏极区(5)。该方法进一步...
J·J·G·P·卢Y·V·波诺马廖夫
文献传递
用于使用模式而在句法上分析位流的方法以及根据其来生成位流的方法
描述了一种用于转换编码位流的描述的方法和装置。该编码位流包括数据包，该描述用诸如BSDL的标记语言来书写。一组的一个或多个数据包在所述描述中由元素来描写，所述元素具有包含变换标签的至少一个属性。扫描该描述，以便根据预定条...
R·欧索里奥
文献传递
一种制造半导体器件的方法及用该方法制造的半导体器件
一种制造半导体器件的方法包括，提供带有在绝缘层上的单晶半导体层的器件，其特点是，在所述半导体层上设置掩模以提供第一掩蔽部分和第一非掩蔽部分；无定形化所述第一非掩蔽部分以产生所述单晶半导体层的第一无定形化部分；在所述第一无...
B·J·波拉克
文献传递
为高级MIS半导体器件形成带凹槽的栅绝缘层的方法及用该方法获得的器件
本发明涉及为半导体器件提供具有在控制电极(3)与第一和第二主电极延伸(4，5)之间的受控重叠的控制电极结构的而不必使用许多隔离物的方法。另外，该方法提供深腐蚀绝缘层(2)的步骤。该步骤是在无定形化和注入主电极延伸(4，5...
K·汉森R·C·休德纽
文献传递
制造半导体器件的方法以及采用该方法获得的半导体器件
本发明涉及一种制造半导体器件(10)的方法，该方法在半导体基体(1)设置了第一导电类型的源极(2)和漏极(3)以及第二导电类型的沟道(4)，第一导电类型不同于第二导电类型，沟道(4)在源极和漏极之间，第一和第二栅极(5A...
B·J·波拉克
文献传递
用于提供具有活性掺杂剂层结构的半导体衬底的方法
公开了一种用于形成具有薄层结构和具有良好定义的被激活掺杂剂的层的半导体器件的方法。该方法中，当以第一掺杂剂在第一掺杂浓度注入区之后，半导体衬底中的该区被非晶化。接着为了激活仅位于这一薄层中的第一掺杂剂，在所需厚度的非晶化...
R·C·苏尔迪奴
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
本发明涉及一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有一个在衬底的一个表面之内和/或之上形成有至少一个连接区的硅区域的半导体结构。该方法包括由第一非硅化物化的金属形成金属聚集层，接下来淀积一个由第二硅化物化的金属组成的金属...
T·斯拉姆J·C·胡克尔M·J·H·凡达尔
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0