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IMEC公司

作品数：80 被引量：0H指数：0
相关机构：康宁克里克菲利浦电子股份有限公司天主教鲁汶大学根特大学更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 80篇中文专利

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 26篇半导体
  • 17篇半导体器件
  • 11篇衬底
  • 9篇掺杂
  • 8篇光学
  • 6篇掩模
  • 6篇介质
  • 5篇电池
  • 5篇电路
  • 5篇衍射
  • 5篇蚀刻
  • 5篇介质层
  • 5篇掺杂剂
  • 4篇气隙
  • 4篇自对准
  • 4篇耦合器
  • 4篇无定形
  • 4篇金属
  • 4篇刻蚀
  • 4篇激光

机构

  • 80篇IMEC公司
  • 20篇康宁克里克菲...
  • 13篇天主教鲁汶大...
  • 6篇根特大学
  • 4篇索尼株式会社
  • 4篇NXP股份有...
  • 3篇应用科学研究...
  • 3篇松下电器产业...
  • 2篇布鲁塞尔自由...
  • 2篇三星电子株式...
  • 2篇勒芬天主教大...
  • 2篇道达尔销售服...
  • 1篇技术公司
  • 1篇西斯有限公司
  • 1篇ASM IP...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 7篇2016
  • 5篇2015
  • 10篇2014
  • 8篇2013
  • 13篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 4篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2006
  • 11篇2005
共 80 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
制造具有硅化电极的半导体器件的方法
本发明涉及一种制造具有半导体基体的器件的方法，该半导体基体包括一个具有一个电介质层和一个第一导体的第一半导体结构以及一个具有一个电介质层和第二导体的第二半导体结构组成，第一导体邻接电介质层的部分具有与第二导体相应部分不同...
R·兰德尔M·J·H·凡达尔J·C·胡克尔
文献传递
制作用于双栅SOI工艺的标记的方法和半导体晶片
在SOI晶片上制作至少一个用于双栅SOI工艺的标记(MX)的方法，该至少一个标记具有在第一方向上的衍射结构，该衍射结构的设置用于其在对准和覆叠系统中使用期间产生在所述第一方向探测的不对称的衍射图形；SOI晶片包括衬底，衬...
J·J·G·P·卢Y·V·波诺马廖夫D·W·莱德勒
文献传递
用于基板的自组装的方法和依此获得的设备
本申请公开了用于基板的自组装的方法和依此获得的设备。公开了一种在基板上定义具有不同表面液体张力属性的区域的方法，所述方法包括：提供基板，该基板带有具有第一表面液体张力属性的主表面，该主表面至少部分地覆盖有籽晶层，且还包括...
P·索萨张文奇S·阿米尼
文献传递
用于互连测试的转变延迟检测器
本发明公开了用于互连测试的转变延迟检测器。根据本发明的一种用于测试在包括通过至少第一管芯间互连（互连1）彼此电连接的至少第一管芯（管芯1）和第二管芯（管芯2）的结构中的管芯间互连中的延迟转变延迟缺陷的测试电路（30）：包...
S·库玛戈埃尔E·J·马里尼森
文献传递
双耦合器器件、光谱仪和无创生物计量传感器
提供了配置为接收不同偏振分量的光的双耦合器器件、包括该双耦合器器件的光谱仪以及包括该光谱仪的无创生物计量传感器。双耦合器器件可以包括例如配置为接收入射光当中的第一偏振分量的光的第一耦合器层以及配置为接收入射光当中的第二偏...
赵成豪T.克拉斯金东湖
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在双栅极FET中制造自对准源极和漏极接触件的方法
本发明涉及用于在基片(SOI)上形成晶体管结构的方法，该基片包含支持硅层(1)、埋入绝缘层(2)和上硅层(3)，所述上硅层具有上层厚度并包含高掺杂程度，该晶体管结构包含栅极区(G1)，以及源极和漏极区(5)。该方法进一步...
J·J·G·P·卢Y·V·波诺马廖夫
文献传递
用于确定有效掺杂物分布的方法
提供一种基于光学测量确定半导体衬底的有效掺杂物浓度分布的方法(100)。该有效掺杂物浓度分布包括浓度水平和结深度。该方法包括：基于光调制反射(PMOR)测量获得(120)半导体衬底的光调制反射(PMOR)振幅偏移曲线和光...
J·波格丹诺维奇
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在双栅极FET中制造自对准源极和漏极接触件的方法
本发明涉及用于在基片(SOI)上形成晶体管结构的方法，该基片包含支持硅层(1)、埋入绝缘层(2)和上硅层(3)，所述上硅层具有上层厚度并包含高掺杂程度，该晶体管结构包含栅极区(G1)，以及源极和漏极区(5)。该方法进一步...
J·J·G·P·卢Y·V·波诺马廖夫
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具有局部背接触的太阳能电池的制造方法
本发明涉及具有背接触和钝化发射极的太阳能电池（1）的制造方法，该太阳能电池包括至少两层的电介质叠层（10），该至少两层的电介质叠层（10）至少包括与p型硅层（3）接触的AlOx的第一电介质层（11）和沉积在第一电介质层（...
P.嘉弗伦诺J.达思A.尤鲁纳德卡斯特罗
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在基板上形成有机材料层的方法
一种用于在连续式沉积系统中在基板上形成有机材料层的方法，其中用预定的非恒定的沉积率分布来沉积有机材料，所述分布包括第一预定沉积率范围以及第二预定沉积率范围，第一预定沉积率范围被设置成用第一预定平均沉积率来沉积有机材料层的...
C·罗林J·吉诺
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