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日本爱发科泰克能株式会社

作品数:24 被引量:0H指数:0
相关机构:株式会社爱发科更多>>
相关领域:金属学及工艺电气工程电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 24篇中文专利

领域

  • 8篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇合金
  • 7篇成膜
  • 6篇电解液
  • 6篇浸渍
  • 6篇基板
  • 5篇金属
  • 4篇涂布
  • 4篇铝合金
  • 4篇静电
  • 4篇卡盘
  • 4篇氟化物
  • 4篇被膜
  • 4篇表面涂布
  • 3篇蚀刻
  • 3篇蚀刻液
  • 3篇成膜物
  • 2篇电弧
  • 2篇电流
  • 2篇电容
  • 2篇钝化

机构

  • 24篇日本爱发科泰...
  • 11篇株式会社爱发...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
表面处理方法
提供一种表面处理方法,其能够抑制在构件的表面沉积的成膜物从构件脱离,并且能抑制内含物的放出。表面处理方法包括:通过喷砂处理使构件(10)的金属制的表面(10F)粗糙化。在喷砂处理后的粗糙化的表面(10F)残留由喷砂处理引...
稻吉荣石榑文昭佐藤洋志
文献传递
铝合金的表面处理法及镁合金的表面处理法
本发明提供一种铝合金的表面处理法及镁合金的表面处理法,对含有镁的铝合金或镁合金的表面赋予针对腐蚀性气体的充分的耐腐蚀性的同时,即使在真空中、300℃以上的气氛中使用含有镁的铝合金或镁合金,也可以防止镁从其表面飞散。该方法...
三泽俊司稻吉荣佐藤洋志
文献传递
靶安装机构
本发明的靶安装机构,对阴极的连结部能装拆地安装溅射装置所使用的圆筒形的靶。所述靶具备圆筒形基体和覆盖该基体的靶材,并且具有配有所述靶材的中央区域和在除该中央区域以外的两端侧露出所述基体的连结区域。在所述阴极的连结部形成内...
石丸泰大山典生
文献传递
氧化被膜的形成方法
本发明涉及一种氧化被膜的形成方法,其目的是在大面积的被处理物的表面有效地形成氧化被膜。通过将铝或铝合金构成的被处理物的一部分浸渍在电解液中进行微电弧氧化处理,形成氧化被膜后,在形成了上述氧化被膜的部位与其他部位的边界处不...
石榑文昭稻吉荣石川裕一佐藤洋志
文献传递
表面处理方法
提供一种能够抑制在构件的表面沉积的成膜物从构件脱离的表面处理方法。表面处理方法包括:通过喷砂处理使构件(10)的金属制的表面(10F)粗糙化;通过阳极氧化而在已粗糙化的表面(10F)形成多孔质的氧化皮膜;以及利用蚀刻液至...
稻吉荣石榑文昭佐藤洋志
文献传递
基板升降装置及基板运输方法
本发明提供一种无需等待被处理基板完全除电,被处理基板不会发生位置偏移和弹起,而可将处理后的被处理基板移动到基板传递位置的基板升降装置及基板运输方法。本发明的基板升降装置(LM),其安装在具有静电卡盘(EC)的工作台(ST...
藤井克德伊藤真规
合金熔射膜以及成膜装置
提供一种合金熔射膜以及成膜装置,该合金熔射膜可进一步抑制从成膜处理用部件的剥离,该成膜装置具有该合金熔射膜。例如,提供一种熔射膜,用于成膜装置,该成膜装置具有:成膜源;基板支撑部,与上述成膜源相向;成膜处理用部件,包围上...
门胁豊吉田敏伸赤濑仁荣
文献传递
基板升降装置及基板运输方法
本发明提供一种无需等待被处理基板完全除电,被处理基板不会发生位置偏移和弹起,而可将处理后的被处理基板移动到基板传递位置的基板升降装置及基板运输方法。本发明的基板升降装置(LM),其安装在具有静电卡盘(EC)的工作台(ST...
藤井克德伊藤真规
文献传递
成膜装置用部件及具备成膜装置用部件的成膜装置
本发明涉及成膜装置用部件及具备成膜装置用部件的成膜装置。本发明的成膜装置用部件具有:暴露于成膜气氛的表面;和喷涂膜,形成于所述表面,且由Al或Al合金或者Cu或Cu合金构成。所述喷涂膜的表面粗糙度Ra[μm]在50~70...
门脇豊吉田敏伸赤瀬仁荣高山孝信
表面处理方法及表面处理装置
本发明涉及表面处理方法及表面处理装置。本发明的表面处理方法为如下过程:在由阀金属构成的被处理体的被处理面设定多个处理区域,并且将各处理区域连续或断续地浸渍在电解液中以进行阳极氧化处理,从而在所述被处理面上形成氧化被膜。所...
石榑文昭稻吉荣藤田胜博佐藤洋志
文献传递
共3页<123>
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