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丸文株式会社

作品数：15 被引量：0H指数：0
相关机构：株式会社爱发科东芝机械株式会社东京应化工业株式会社更多>>
相关领域：理学机械工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 15篇中文专利

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 9篇光子
  • 9篇光子带隙
  • 8篇基板
  • 7篇晶体
  • 7篇光子晶体
  • 5篇折射率
  • 5篇波长
  • 3篇光提取效率
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇掩膜
  • 2篇制造装置
  • 2篇散射
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇透镜
  • 2篇球状
  • 2篇阻挡层
  • 2篇外接圆
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米压印

机构

  • 15篇丸文株式会社
  • 13篇东芝机械株式...
  • 13篇株式会社爱发...
  • 9篇东京应化工业...
  • 7篇国立研究开发...
  • 4篇独立行政法人...
  • 1篇国立研究开发...

年份

  • 2篇2021
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2011
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
深紫外LED及其制造方法
本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧起按顺序依次具有反射电极层、极薄膜金属层以及p型接触层，进一步，具有与所述p型接触层侧的所述基板的背面接合的、对于波长λ而透明的半球状透镜，所述半球...
鹿岛行雄松浦惠里子小久保光典田代贵晴平山秀树上村隆一郎长田大和森田敏郎
制造装置的方法
一种制造具有凹凸结构的装置的方法，该方法包括以下步骤：在其中形成细微凹凸结构(AS)的n型半导体层(13)上形成有机抗蚀剂膜(20)；在有机抗蚀剂膜上形成含硅抗蚀剂膜；利用纳米压印技术使含硅抗蚀剂膜图案化；用含氧等离子体...
上村隆一郎长田大和鹿岛行雄西原浩巳田代贵晴大川贵史
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深紫外LED及其制造方法
本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子...
鹿岛行雄松浦惠里子小久保光典田代贵晴大川贵史平山秀树上村隆一郎长田大和岛谷聪
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光束加工装置、光束加工方法和经光束加工的基板
本发明公开了一种光束加工装置，所述光束加工装置向形成在基板(2)的一个表面上的待加工层(3)照射光束，从而对该待加工层进行加工。所述光束加工装置具有气体浮起机构(10)和光束照射单元(50)，所述气体浮起机构(10)通过...
仲田悟基山冈裕木野本亮
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转移装置和使用方法
本发明提供转移装置和使用方法。在保持高转移位置精度的同时实现转移装置的受体基板的大型化、精细化和缩短节拍时间。在以保持放置有转移对象物的供体基板和/或光束整形光学系统以及缩小投影光学系统的状态移动的各台组、以及保持作为转...
山冈裕仲田悟基小泽周作
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发光元件及其制造方法
本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统（结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。
鹿岛行雄松浦惠里子西原浩巳田代贵晴大川贵史平山秀树藤川纱千惠尹成圆高木秀树上村隆一郎长田大和
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深紫外LED及其制造方法
本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧按顺序具有Al反射电极层、极薄膜金属层以及透明p型AlGaN接触层，在所述透明p型AlGaN接触层的厚度方向的范围内具有光子晶体周期结构，并且，所述...
鹿岛行雄松浦惠里子小久保光典田代贵晴大川贵史平山秀树前田哲利定昌史上村隆一郎长田大和岛谷聪
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深紫外LED及其制造方法
本发明涉及一种能够提高光提取效率的深紫外LED。一种深紫外LED，其将设计波长设为λ，所述深紫外LED的特征在于，从基板的相反侧按顺序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、以及相对于波长λ透明的p型AlGaN层、多量...
鹿岛行雄松浦惠里子小久保光典田代贵晴平山秀树上村隆一郎长田大和森田敏郎
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深紫外LED及其制造方法
本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子...
鹿岛行雄松浦惠里子小久保光典田代贵晴大川贵史平山秀树上村隆一郎长田大和岛谷聪
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深紫外LED及其制造方法
本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧起按顺序依次具有反射电极层、极薄膜金属层以及p型接触层，进一步，具有与所述p型接触层侧的所述基板的背面接合的、对于波长λ而透明的半球状透镜，所述半球...
鹿岛行雄松浦惠里子小久保光典田代贵晴平山秀树上村隆一郎长田大和森田敏郎
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