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国家高技术研究发展计划(2011AA03A112)

作品数:11 被引量:20H指数:3
相关作者:罗毅郝智彪韩彦军李洪涛汪莱更多>>
相关机构:清华大学厦门乾照光电股份有限公司中国科学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺更多>>

领域

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主题

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  • 8个氮化物半导体...
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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 15个北京市
  • 2个湖北省
  • 1个天津市
18 条 记 录,以下是 1-10
罗毅
供职机构:清华大学
研究主题:GAN 发光二极管 氮化镓 波导 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝智彪
供职机构:清华大学
研究主题:GAN 量子点 氮化镓 波长 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩彦军
供职机构:清华大学
研究主题:氮化镓 发光二极管 GAN 半导体照明 面光源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李洪涛
供职机构:清华大学
研究主题:氮化镓 GAN 发光二极管 半导体照明 波长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡健楠
供职机构:北京真空电子技术研究所
研究主题:分子束外延 ALN 分子束外延生长 半导体 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪莱
供职机构:清华大学
研究主题:GAN 氮化镓 量子点 半导体 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张辰
供职机构:清华大学信息科学技术学院清华信息科学与技术国家实验室
研究主题:氮化铝 分子束外延 位错密度 点缺陷 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周均铭
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 分子束外延 多量子阱 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁芃
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 INP基 溶胶-凝胶法 电路 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾海强
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:发光二极管 多量子阱 隔离层 氮化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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