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国家重点基础研究发展计划(2010CB934104)

作品数：14 被引量：25H指数：4
相关作者：杨富华韩伟华张严波杜彦东颜伟更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

  • 13个国家重点基础...
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传媒

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  • 1个现代化工
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地区

  • 13个北京市
共 13 条 记 录，以下是 1-10
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩伟华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 晶体管 纳米线 硅纳米线 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张严波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：神经元电路 硅纳米线 树突 纳米线 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李小明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅纳米线 硅衬底 纳米线 掺杂 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜彦东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体 ALGAN/GAN_HEMT 硅纳米线 硅衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈燕坤
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅纳米线 硅衬底 纳米线 纳米孔 光栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
颜伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：晶体管 抗蚀剂 天线 ALGAN/GAN_HEMT 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊莹
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：神经元电路 脉冲耦合 树突 频率可调 硅纳米线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张仁平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT 高电子迁移率晶体管 GAN 干法刻蚀技术 干法刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾利芳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN HEMT器件 肖特基接触 ALGAN/GAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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