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国家自然科学基金(61106076)
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5
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相关作者:
段宝兴
杨银堂
陈敬
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杨银堂
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:硅 片上网络 电路 CMOS 碳化硅
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段宝兴
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:击穿电压 漂移区 晶体管 纵向电场 场效应管
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陈敬
供职机构:香港科技大学
研究主题:高电子迁移率晶体管 场效应晶体管 沟道 晶体管 HEMT
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