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国家自然科学基金(61106106)

作品数：30 被引量：27H指数：2
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相关机构：西安电子科技大学中国空间技术研究院教育部更多>>
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地区

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共 13 条 记 录，以下是 1-10
蒲石
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：VDMOS P沟道 VDMOS器件 深刻蚀 波导滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜林
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：P沟道 VDMOS 分布式调试 深刻蚀 VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张得玺
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：P沟道 VDMOS VDMOS器件 击穿电压 导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马晓华
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 栅电极 高电子迁移率晶体管 氧化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
史永贵
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：碳化硅 柴油车尾气 颗粒捕集器 石墨坩埚 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张凯
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：全色图像 SAR图像 变化检测 多光谱图像 遥感图像融合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卓青青
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量效应 总剂量 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘帅
供职机构：西安电子科技大学技术物理学院
研究主题：L波段 ADS 幅相一致性 功率放大器 平衡式
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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