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国家自然科学基金(61106130)

作品数：8 被引量：10H指数：2
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共 18 条 记 录，以下是 1-10
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN ALGAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔岑
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SI基 MMIC ALGAN/GAN_HEMT ALGAN 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛舫时
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET 电流崩塌 GAN 势垒 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆海燕
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 太赫兹 GHZ 异质结双极型晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
耿习娇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：AL组分 ALGAN/GANHEMT ALGAN SI基 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘涛
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：4H-SIC HEMT H型 SIC 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭大青
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 SIC衬底 二维电子气 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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