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国家自然科学基金(61106130)

作品数：8 被引量：8H指数：1
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共 18 条 记 录，以下是 1-10
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 ALGAN GAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔岑
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SI基 MMIC ALGAN/GAN_HEMT ALGAN 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛舫时
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET GAN 电流崩塌 势垒 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆海燕
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 太赫兹 GHZ 异质结双极型晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
耿习娇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：AL组分 ALGAN/GANHEMT ALGAN SI基 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘涛
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HEMT H型 4H-SIC SIC 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭大青
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 二维电子气 GAN SIC衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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