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国家高技术研究发展计划(2005AA319020)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：陆敏胡晓东张国义潘尧波黎子兰更多>>
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地区

  • 11个北京市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
胡成余
供职机构：北京大学
研究主题：欧姆接触 P-GAN 激光剥离 氮化镓 NI/AU
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈伟华
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 氮化镓 氮化物 干法刻蚀 峰值波长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章蓓
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 激光剥离 发光二极管 氮化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王琦
供职机构：北京大学
研究主题：存储介质 电子设备 纹理 图像处理技术 时域
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘尧波
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 出光效率 成核 MOCVD生长 激光剥离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨志坚
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡晓东
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题：GAN 氮化镓 GAN基激光器 氮化物 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国义
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆敏
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题：GAN MOCVD 氮化镓 MOCVD生长 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黎子兰
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题：GAN 激光剥离 MOCVD 氮化镓 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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