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国家高技术研究发展计划(2007AA05Z429)

作品数:3 被引量:8H指数:2
相关作者:罗毅王磊胡健楠任凡赵维更多>>
相关机构:清华大学更多>>
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相关领域:电子电信轻工技术与工程更多>>

领域

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机构

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传媒

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地区

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13 条 记 录,以下是 1-10
罗毅
供职机构:清华大学
研究主题:GAN 发光二极管 氮化镓 波导 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王嘉星
供职机构:清华大学
研究主题:GAN ALN 氮化镓 氮化铝 蓝宝石
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯泽心
供职机构:清华大学
研究主题:变形镜 波前 阵面 发光二极管 控制装置
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
司徒文畅
供职机构:清华大学电子工程系
研究主题:LED 角分布
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王磊
供职机构:清华大学电子工程系
研究主题:波长 载流子分布 红外 GAN ALN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张辰
供职机构:清华大学信息科学技术学院清华信息科学与技术国家实验室
研究主题:氮化铝 分子束外延 位错密度 点缺陷 射频
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩彦军
供职机构:清华大学
研究主题:氮化镓 发光二极管 GAN 半导体照明 面光源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝智彪
供职机构:清华大学
研究主题:GAN 量子点 氮化镓 波长 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵维
供职机构:清华大学电子工程系
研究主题:GAN MOVPE生长 GAN薄膜 图形衬底 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任凡
供职机构:清华大学信息科学技术学院清华信息科学与技术国家实验室
研究主题:氮化铝 分子束外延 位错 位错密度 点缺陷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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