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国家自然科学基金(69789601)

作品数：9 被引量：18H指数：3
相关作者：童玉珍张国义陆大成杨志坚王成新更多>>
相关机构：中国科学院北京大学天津大学更多>>
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领域

  • 21个电子电信
  • 19个理学
  • 14个电气工程
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  • 5个金属学及工艺
  • 5个机械工程
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  • 1个冶金工程
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  • 1个社会学

主题

  • 21个发光
  • 20个GAN
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  • 13个氮化物
  • 13个电学
  • 12个氮化
  • 12个英文
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  • 11个电阻
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  • 10个岛状
  • 10个电流
  • 10个电特性
  • 9个单量子阱
  • 9个电压
  • 8个氮化物半导体
  • 8个氮化镓基材料

机构

  • 17个中国科学院
  • 9个北京大学
  • 3个北京师范大学
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  • 1个北京科技大学
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  • 1个四川师范学院
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  • 1个太原理工大学
  • 1个香港科技大学
  • 1个中国科学院力...
  • 1个中国电子学会
  • 1个国家光电子工...
  • 1个太原第一机床...
  • 1个山西太钢不锈...
  • 1个天津市第二南...

资助

  • 21个国家自然科学...
  • 17个国家高技术研...
  • 14个国家重点基础...
  • 10个国家教育部博...
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  • 4个国家重点实验...
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  • 1个广东省科技攻...
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传媒

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  • 7个物理
  • 7个光子学报
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  • 6个电子显微学报
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  • 5个科学通报
  • 5个稀有金属
  • 4个中国科学（A...
  • 4个光谱学与光谱...

地区

  • 18个北京市
  • 2个天津市
  • 1个山西省
共 21 条 记 录，以下是 1-10
张国义
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
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童玉珍
供职机构：北京大学物理学院
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD生长 MOCVD INGAN
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陆大成
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOVPE GAN MOVPE生长 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段树坤
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOVPE生长 MOVPE 氮化镓 汽相外延生长 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王成新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN ALGAN P型GAN P型 蓝光发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨志坚
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩培德
供职机构：太原理工大学
研究主题：第一性原理 电子结构 第一性原理研究 光子晶体 洋葱状富勒烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李月霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：异质结 NC-SI 砷化镓 XGA H
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王良臣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 发光二极管 共振隧穿二极管 大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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