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国家自然科学基金(61076120)

作品数：5 被引量：5H指数：1
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地区

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共 13 条 记 录，以下是 1-10
薛舫时
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET GAN 电流崩塌 势垒 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许晓军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 位错 微管 GAN薄膜 金属有机物化学气相淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姜文海
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN GA MOCVD生长 N型 蒸发法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔岑
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SI基 MMIC ALGAN/GAN_HEMT ALGAN 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 ALGAN GAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金刚石 衬底 二维电子气 氮化镓晶体管 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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