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武器装备预研基金(51408061104DZ01)

作品数:5 被引量:2H指数:1
相关作者:张鹤鸣宣荣喜舒斌马晓华朱国良更多>>
相关机构:西安电子科技大学更多>>
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机构

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资助

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地区

  • 14个陕西省
  • 1个黑龙江省
15 条 记 录,以下是 1-10
张鹤鸣
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宣荣喜
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
舒斌
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:BICMOS 应变SI 双极器件 光刻 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡辉勇
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王青
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:SIGE_HBT SIGE PSPICE软件 异质结双极晶体管 存储电荷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴显英
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:晶圆 应变SI 绝缘层 SIGE BICMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马晓华
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:电极 势垒层 栅电极 高电子迁移率晶体管 氧化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊敏
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:SOI 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任冬玲
供职机构:西安电子科技大学微电子学院
研究主题:应变SI CMOS SI/SIGE 电特性 CMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄大鹏
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:超高真空 场效应晶体管 层结构 侧墙 MIS结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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